[发明专利]一种柔性太阳能电池前板及其加工工艺在审
| 申请号: | 201410321670.3 | 申请日: | 2014-07-08 |
| 公开(公告)号: | CN105244395A | 公开(公告)日: | 2016-01-13 |
| 发明(设计)人: | 马康;陈涛;王玉晓;林俊荣 | 申请(专利权)人: | 汉能新材料科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;B32B17/10;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 100107 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 柔性 太阳能电池 及其 加工 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域,具体地讲是涉及一种柔性太阳能电池部件。
背景技术
太阳能是一种取之不尽、用之不竭的能源。太阳能作为理想的可再生能源受到了许多国家的重视。柔性薄膜太阳能电池作为太阳电池的一个新品种,技术先进、性能优良、用途广泛,越来越受到人们的重视。由于柔性薄膜太阳能组件在户外要长久使用,要求太阳能前板具有一定的透光性、耐候性、绝缘性、阻燃性、可绕性,同时由于某些薄膜电池(如CIGS薄膜电池)对水分比较敏感,柔性太阳能前板还要有高的阻水性能,WVTR(水汽透过率)小于5X10~3(g/m2/day)。目前柔性太阳能前板材料采用的是一种复合膜,包含ETFE薄膜、UV阻隔膜、阻水膜、PET膜等;如日本三菱公司所生产的型号为FD~K4A的产品及美国3M所生产的Ultrabarrierfilms,上述产品阻水性、透光性、绝缘性、耐候性较差;且制备及后续封装过程中工艺复杂。
为了提高前板的整体性能,现有技术中出现了一些针对前板的改进方案。申请号为CN201110454523.X的中国专利申请公开了一种柔性太阳能前板及其加工工艺,其采用了在PET基层上涂覆含氟聚合物的膜的方法。上述方案虽然解决了多层膜复合的问题,但仍未从根本上改变阻水性、透光性、绝缘性较差及制备工艺复杂、后续封装过程中工艺复杂的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种性能优良、结构简单的柔性太阳能前板及其加工工艺。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种柔性太阳能电池前板,包括依次复合在一起的高透光含氟层、柔性玻璃层、透明封装材料层。
优选地,所述柔性玻璃层的厚度为5~200微米。
优选地,所述高透光含氟层的厚度为25~100微米。
优选地,所述透明封装材料层的厚度为0.1~0.76毫米。
优选地,所述高透光含氟层为四氟乙烯、六氟丙烯、偏氟乙烯的三元共聚物所形成的膜层。
优选地,所述高透光含氟层中氟树脂的含量以重量计为40%~80%。
优选地,所述透明封装材料层为聚烯烃薄膜、乙烯-醋酸乙烯薄膜或聚乙烯醇缩丁醛薄膜。
一种所述的柔性太阳能电池前板的加工工艺,主要包括以下步骤:
a)将柔性玻璃层的两面进行清洗;
b)在所述柔性玻璃层的一面喷涂或辊涂高透光含氟树脂;
c)将涂覆有含氟树脂的柔性玻璃加热至100~300℃,在所述柔性玻璃层上固化形成高透光含氟层;
d)将透明封装材料层复合到所述柔性玻璃层的另一面。
本发明采用柔性玻璃作为柔性太阳能电池前板的基层,由于柔性玻璃较现有基层而言拥有更好的透光性、阻水性、绝缘性、耐候性等特点,从而使得所得前板在透光性、阻水性、绝缘性和耐候性等方面的性能也得以大幅提升,同时也避免了为了某个单一性能而设计一个膜层导致的多层膜复合的问题,大大简化了前板的结构,进而使得所述柔性太阳能前板的加工工艺变得简单,有效提高了生产率;另外,通过在柔性玻璃层上直接复合封装层,有效避免了在柔性太阳能电池芯片装上前板后需要再进行的封装工艺,使得柔性太阳能电池的封装工艺在前板制作阶段即完成,封装难度大大降低,提高了产品的可靠性。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1是本发明所述柔性太阳能电池前板的结构示意图,
图中:
1、高透光含氟层;2、柔性玻璃层;3、透明封装材料层。
具体实施方式
以下结合附图对本发明做进一步阐述。
实施例1
根据以下步骤加工如图1所示柔性太阳能电池前板:
a)将厚度为5~200微米的柔性玻璃层2的两面进行清洗;
b)在所述柔性玻璃层2的一面喷涂氟树脂重量含量为40%的高透光含氟树脂,其中,所述高透光含氟树脂是四氟乙烯、六氟丙烯、偏氟乙烯的三元共聚物;
c)将涂覆有含氟树脂的柔性玻璃层2加热至100~300℃,在所述柔性玻璃2上固化形成厚度为25~100微米的高透光含氟层1;
d)将透明封装材料层3复合到所述柔性玻璃层2的另一面,其中,所述透明封装材料层3采用厚度为0.1~0.76毫米的聚乙烯薄膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于汉能新材料科技有限公司,未经汉能新材料科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410321670.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:共振隧穿二极管近红外探测器
- 下一篇:发光二极管导光灯具
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





