[发明专利]半导体光检测元件

权利要求书

1.一种半导体光检测元件，其特征在于，

包括：

硅基板，其由第1导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第1主面及第2主面，并且在所述第1主面侧形成有第2导电类型的半导体区域；以及

传输电极部，设置于所述硅基板的所述第1主面上，且传输所产生的电荷；

在所述硅基板上，在所述第2主面侧形成有具有比所述硅基板更高的杂质浓度的第1导电类型的累积层，并且在所述第2主面上的至少与第2导电类型的所述半导体区域相对的区域形成有不规则的凹凸，

所述硅基板的所述第2主面上的形成有不规则的所述凹凸的区域光学性地露出，

所述半导体光检测元件是表面入射型，所述第1主面被作为光入射面，从所述第1主面入射的光在所述硅基板内行进，所述第1主面与在至少与第2导电类型的所述半导体区域相对的所述区域形成有不规则的所述凹凸的所述第2主面相对。

2.如权利要求1所述的半导体光检测元件，其特征在于，

在与第2导电类型的所述半导体区域相对的所述区域中的一部分的区域中，形成有不规则的所述凹凸。

3.如权利要求1或2所述的半导体光检测元件，其特征在于，

保留所述硅基板中的对应于第2导电类型的所述半导体区域的部分的周边部分而从所述第2主面侧起使该部分变薄。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体光检测元件，其特征在于，

第1导电类型的所述累积层的厚度大于不规则的所述凹凸的高低差。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体光检测元件，其特征在于，

所述硅基板的厚度设定为像素间距以下。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体光检测元件，其特征在于，

从所述第1主面入射并在所述硅基板内行进的光被不规则的所述凹凸反射、散射或者扩散。

7.一种光电二极管，其特征在于，

包括：

硅基板，其由第1导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第1主面及第2主面，并且在所述第1主面侧形成有第2导电类型的半导体区域，

在所述硅基板上，在所述第2主面侧形成有具有比所述硅基板更高的杂质浓度的第1导电类型的累积层，并且在所述第2主面上的至少与第2导电类型的所述半导体区域相对的区域形成有不规则的凹凸，

所述硅基板的所述第2主面上的与第2导电类型的所述半导体区域相对的所述区域光学性地露出，

所述光电二极管是表面入射型，所述第1主面被作为光入射面，从所述第1主面入射的光在所述硅基板内行进，所述第1主面与在至少与第2导电类型的所述半导体区域相对的所述区域形成有不规则的所述凹凸的所述第2主面相对。

8.如权利要求7所述的光电二极管，其特征在于，

保留所述硅基板中的对应于第2导电类型的所述半导体区域的部分的周边部分而从所述第2主面侧起使该部分变薄。

9.如权利要求7或8所述的光电二极管，其特征在于，

第1导电类型的所述累积层的厚度大于不规则的所述凹凸的高低差。

10.如权利要求7～9中任一项所述的光电二极管，其特征在于，

从所述第1主面入射并在所述硅基板内行进的光被不规则的所述凹凸反射、散射或者扩散。