[发明专利]一种真空低温湿法刻蚀方法在审
| 申请号： | 201410319809.0 | 申请日： | 2014-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN105280519A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 兰育辉;陈宏 | 申请（专利权）人： | 张家港市超声电气有限公司;兰育辉;陈宏 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/30 |
| 代理公司： | 南京钟山专利代理有限公司 32252 | 代理人： | 田媛;靳静 |
| 地址： | 215618 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 真空 低温 湿法 刻蚀 方法 | ||
1.一种真空低温湿法刻蚀方法,其特征是：该方法包括真空芯片表面形态预处理工艺、真空芯片表面溶剂浸透预处理工艺、真空低温化学湿法刻蚀工艺。
2.权利要求1所述的真空低温湿法刻蚀方法，其特征是：所述的表面形态预处理工艺、浸透预处理工艺、刻蚀工艺是均在预真空度<1.0x10E-2Pa条件下完成。
3.权利要求1所述的真空低温湿法刻蚀方法,其特征是：所述的表面形态预处理工艺、浸透预处理工艺、刻蚀工艺是在温度范围从-10度至30度条件下完成。
4.权利要求1或2所述的真空低温湿法刻蚀方法,其特征是：所述的真空芯片表面形态预处理用可调红外和UV光波下的氧离子方法来完成。
5.权利要求1或3所述的真空低温湿法刻蚀方法,其特征是：所述的真空芯片表面溶剂浸透预处理用超声波分布式微雾化方法来完成。
6.权利要求1或3所述的真空低温湿法刻蚀方法,其特征是：所述的真空低温化学湿法刻蚀方法用可调恒压立体分布方法喷射刻蚀液来完成。
7.权利要求1或6所述的真空低温湿法刻蚀方法,其特征是：所述的真空低温化学湿法刻蚀适用于对InP基板上的组合外延层：(InGaAsP/InP,AlGaInAs/InP)(InGaAsP/InP,InGaAsP/InP/AlInAs)(InGaAs/InP,AlGaInAs/InP)(InGaAsP/InP,AlGaInAs/InP,InGaAsP/InP/AlInAs)复合层及SiO2、SiN4层进行刻蚀，厚度从20nm至10um之间的单层或多层组合的材料。
8.权利要求1所述的真空低温湿法刻蚀方法,其特征是：所述的真空低温化学湿法刻蚀适用于含多浓度的化学复配原料所组成BOE:H2O水溶液、H2SO4:H2O2:H2O和Br溶于甲醇配制的百分含量的刻蚀液或(H2O:HBr:Br):H2O体积比的混合液。
9.权利要求7或8所述的真空低温湿法刻蚀方法,其特征是：所述的真空低温化学湿法刻蚀适用于使用多种浓度的化学复配原料所组成的刻蚀液按程序分别刻蚀对应的外延膜层，一步完成多层不同膜的刻蚀。
10.权利要求1所述的真空低温湿法刻蚀方法,其特征是：所述的方法适用于半导体激光二极管(LD)及光电二极管(PD)和发光二极管（LED）芯片湿法刻蚀制造领域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于张家港市超声电气有限公司;兰育辉;陈宏，未经张家港市超声电气有限公司;兰育辉;陈宏许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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