[发明专利]一种人工表面等离子场强增强器

权利要求书

1.一种人工表面等离子场强增强器，其特征在于：包括传统的同轴波导和同轴波导到人工表面等离子波导的过渡波导，以及圆锥形等离子波导；

其中，过渡波导包括内导体和外导体过渡，内导体过渡由深度递增的周期性环型凹槽阵列实现，外导体过渡由开口逐渐变大的喇叭天线实现；圆锥形等离子波导由深度和宽度恒定、半径递减、周期变化的环型凹槽阵列组成。

2.根据权利要求1所述的一种人工表面等离子场强增强器，其特征在于：过渡波导中，内导体过渡的环型凹槽阵列渐变采用深度从h₁按照恒定步长Δh递增到h₂，环型凹槽阵列的其余部分保持渐变的最终深度h₂；环型凹槽阵列相邻两个凹槽的水平周期距离为p；外导体过渡的喇叭天线渐变采用内径从2R₂按照锥角α平滑递增，到达过渡波导的总长度处结束，厚度为t保持不变，过渡波导单个总长度为L₂，参数h₁、Δh、h₂、p、R₂、t、α、L₂与同轴波导参数相匹配。

3.根据权利要求1或2所述的一种人工表面等离子场强增强器，其特征在于：圆锥形等离子波导的导体半径从R₁按照恒定步长ΔR递减到R₃；相邻两个环型凹槽的水平周期距离为p，凹槽宽度为a，深度为h₂，均保持不变；总长度为L₃，参数R₁、ΔR、R₃、p、a、h₂、L₃与同轴波导参数相匹配。

4.根据权利要求1或2所述的一种人工表面等离子场强增强器，其特征在于：同轴波导作为导波信号的输入端。

5.根据权利要求3所述的一种人工表面等离子场强增强器，其特征在于：同轴波导作为导波信号的输入端。