[发明专利]一种有序堆积的纳米线膜/体的制造方法有效

专利信息
申请号: 201410318509.0 申请日: 2014-07-04
公开(公告)号: CN104045056A 公开(公告)日: 2014-09-17
发明(设计)人: 褚衍彪;万里兮 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00;B82Y40/00
代理公司: 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 代理人: 朱海波
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 有序 堆积 纳米 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种制造有序堆积的纳米线膜/体的方法,其特征在于,包括如下步骤:

a.准备事先制备的纳米线;

b.将所述纳米线悬浮在溶剂中,形成均匀的悬浊液;

c.将所述悬浊液装入离心管;

d.所述悬浊液进行高速离心沉淀,所有的纳米线沉淀在管底,形成有序堆积的纳米线沉淀;

e.移除上清液,将有序堆积的纳米线沉淀进行烘干并从离心管管底剥离,完成制造有序堆积的纳米线膜/体。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤d之前还包括步骤f:将所述悬浊液进行高速离心沉淀之前,将所述纳米线进行低速离心提纯,以除去直径偏大的纳米线或纳米颗粒。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤d之前还包括步骤g:将所述悬浊液进行高速离心沉淀之前,将所述纳米线进行高速离心提纯,以除去直径偏小的纳米线或纳米颗粒。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述有序堆积的纳米线膜/体中的纳米线近似平行有序排列,纳米线彼此紧密接触,密实堆积。

5.根据权利要求1-3中的任何一项所述的方法,其特征在于,所述纳米线包括有机物纳米线、氧化物纳米线、金属纳米线、半导体纳米线、绝缘体纳米线。

6.根据权利要求1-3中的任何一项所述的方法,其特征在于,所述纳米线是实心结构或中空管状结构。

7.根据权利要求2所述的方法,所述低速离心提纯步骤选择合适的离心速率和离心时间,进行离心,使直径偏大的纳米线或纳米颗粒刚好可以沉淀,而需要的纳米线不被沉淀;保留尚未沉淀的纳米线,重新形成均匀的悬浊液。

8.根据权利要求3所述的方法,所述高速离心提纯步骤选择合适的离心速率和离心时间,进行离心,使绝大多数纳米线可以沉淀,而直径偏小的纳米颗粒不被沉淀;移除悬浊液,将纳米线沉淀重新悬浮在溶剂中,形成均匀的悬浊液。

9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述离心管的管底为圆底或尖底。

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