[发明专利]背照式CMOS影像传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201410317691.8 | 申请日： | 2014-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN104078478A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 刘远良;李全宝 | 申请（专利权）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背照式 cmos 影像 传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种背照式CMOS影像传感器的制造方法，包括：
经过前端工艺形成CMOS器件；
在所述CMOS器件上形成BPSG薄膜；及
进行热处理。
2.如权利要求1所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，所述BPSG薄膜中，硼和磷的重量百分比皆是3％～7％。
3.如权利要求1所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，利用化学气相沉积工艺形成所述BPSG薄膜。
4.如权利要求1所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，所述BPSG薄膜的厚度为
5.如权利要求1所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，在形成所述BPSG薄膜之前，还包括：在所述CMOS器件上沉积一阻挡层。
6.如权利要求5所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为氮化硅，其厚度为
7.如权利要求1所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，所述热处理为采用炉管工艺进行处理。
8.如权利要求7所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，所述热处理的温度范围是650℃～900℃，处理时间为30～60分钟。
9.一种背照式CMOS影像传感器，包括：CMOS器件，以及覆盖所述CMOS器件的BPSG薄膜。
10.如权利要求9所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，所述BPSG薄膜中硼和磷的重量百分比皆是3％～7％。
11.如权利要求9所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，所述BPSG薄膜的厚度为
12.如权利要求9所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，所述CMOS器件与BPSG薄膜之间还形成有一阻挡层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
