[发明专利]一种铜铁矿结构CuFeO2晶体材料的低温制备方法

权利要求书

1.一种铜铁矿结构CuFeO₂晶体材料的低温制备方法，其特征是一种快速制备铜铁矿结构CuFeO₂纳米晶材料的低温水热合成方法，该方法是：利用低温水热反应，调控包括反应前驱体组分、反应温度及水热反应釜中反应液的填充率参数，在100～160℃下，以Cu(NO₃)₂和FeCl₂为反应物进行反应12～48小时后，将反应产物经离心清洗处理和烘干后，得到纳米级CuFeO₂晶体材料。

2.根据权利要求1所述的铜铁矿结构CuFeO₂晶体材料的低温制备方法，其特征是所述的反应前驱体是Cu(NO₃)₂和FeCl₂水溶液，或是其他含Fe²⁺和Cu²⁺的化合物。

3.根据权利要求1所述的铜铁矿结构CuFeO₂晶体材料的低温制备方法，其特征是所述的反应前驱体由下述方法制成：将FeCl₂和Cu(NO₃)₂按照摩尔比1.0～1.3：1加入去离子水中，在磁力搅拌器充分搅拌溶解后，再加入4～10倍摩尔量的NaOH作为矿化剂，充分搅拌至溶解完全后待用。

4.根据权利要求1所述的铜铁矿结构CuFeO₂晶体材料的低温制备方法，其特征是：调控水热反应釜中反应液的填充率为65～75％。

5.根据权利要求1所述的铜铁矿结构CuFeO₂晶体材料的低温制备方法，其特征是所述离心清洗处理的方法是：依次采用去离子水、稀NH₃·H₂O、无水乙醇的次序对反应产物进行离心清洗。

6.根据权利要求5所述的铜铁矿结构CuFeO₂晶体材料的低温制备方法，其特征是：所述的离心清洗可以按照稀NH₃·H₂O、去离子水、无水乙醇的次序进行调整。

7.根据权利要求1所述的铜铁矿结构CuFeO₂晶体材料的低温制备方法，其特征是所述的烘干工艺是：将离心清洗处理后的沉淀物在真空干燥烘箱中60℃干燥24～48小时。

8.权利要求1至7中任一权利要求所述方法制备的纳米级CuFeO₂晶体材料的用途，其特征是在透明导电氧化物的光电功能器件中的应用。

9.根据权利要求8所述的用途，其特征是所述的透明导电氧化物的光电功能器件是指敏化太阳能电池或光电化学电池。