[发明专利]像素结构

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

一第一导电层，包括一扫描线以及一下电极；

一半导体层，包括一第一半导体图案，且该第一半导体图案具有一第一通道层、一第一源极区以及一第一漏极区；

一第一绝缘层，位于该第一导电层以及该半导体层之间；

一第二绝缘层，位于该半导体层上；

一第二导电层，位于该第二绝缘层上，该第二导电层包括一上电极、一第一栅极、一第一源极、一第一漏极以及与该第一源极连接的一数据线，其中该下电极与该上电极重迭以形成一电容器；

一保护层，覆盖该第一导电层、该半导体层以及该第二导电层，其中该保护层具有一第一开口、一第二开口以及一第三开口，该第一开口暴露出该第一源极以及该半导体层的该第一源极区，该第二开口暴露出该第一漏极以及该半导体层的该第一漏极区，且该第三开口暴露出该第一栅极以及该扫描线；以及

一第一电极层，位于该保护层上，其中该第一电极层更填入该第一开口、该第二开口以及该第三开口中，以使得该第一源极与该第一源极区电性连接，使得该第一漏极与该第一漏极区电性连接，且使得该第一栅极与该扫描线电性连接。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一电极层与该扫描线以及该数据线重迭。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，

该第一导电层更包括一第一信号线；

该半导体层更包括一第二半导体图案，该第二半导体图案具有一第二通道层、一第二源极区以及一第二漏极区；

该第二导电层更包括一第二栅极以及一第二信号线；

该保护层更包括一第四开口以及一第五开口，该第四开口暴露出该第二源极区以及该第一信号线，该第五开口暴露出该第二漏极区以及该下电极；以及

该第一电极层更包括一第二源极且该第二源极更填入该第四开口与该第二源极区电性连接，该第一电极层更包括一第二漏极且该第二漏极更填入该第五开口以与该第二漏极区电性连接。

4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，更包括：

一发光层，位于该第一电极层上；以及

一第二电极层，位于该发光层上，其中该第二电极层与该第二信号线电性连接。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一电极层包括：

一第一连接结构，位于该保护层上且通过该第一开口以电性连接该第一源极以及该第一源极区；

一第二连接结构，位于该保护层上且通过该第二开口以电性连接该第一漏极以及该第一漏极区；以及

一第三连接结构，位于该保护层上且通过该第三开口以电性连接该第一栅极与该扫描线。

6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该半导体层包括金属氧化物半导体材料。

7.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包括一氧化铝层，位于该第二导电层的表面上。

8.一种像素结构，其特征在于，包括：

一扫描线以及一数据线；

一第一主动元件，与该扫描线以及该数据线电性连接，其中该第一主动元件包括：

一第一半导体图案，具有一第一通道区、一第一源极区以及一第一漏极区；

一绝缘层，位于该第一半导体图案上；

一第一栅极、一第一源极以及一第一漏极，位于该绝缘层上；

一电容器，与该第一主动元件电性连接，该电容器包括一下电极以及一上电极，且该下电极与该扫描线为同一膜层，该上电极与该第一栅极为同一膜层；

一保护层，该保护层具有一第一开口、一第二开口以及一第三开口；

一第一连接结构，位于该保护层上且通过该第一开口以电性连接该第一源极以及该第一源极区；

一第二连接结构，位于该保护层上且通过该第二开口以电性连接该第一漏极以及该第一漏极区；以及

一第三连接结构，位于该保护层上且通过该第三开口以电性连接该第一栅极与该扫描线。

9.根据权利要求8所述的像素结构，其特征在于，该第一电极与该扫描线以及该数据线重迭。