[发明专利]放射线摄像装置和放射线摄像显示系统

权利要求书

1.一种放射线摄像装置，其包括：

多个像素，所述多个像素中的各者分别被构造成生成基于放射线的信号电荷；以及

场效应晶体管，所述场效应晶体管用于从所述多个像素读出所述信号电荷，

其中所述场效应晶体管包括：

半导体层，所述半导体层包括活性层；

第一栅极电极，所述第一栅极电极被设置成面对所述半导体层；

第一栅极绝缘膜，所述第一栅极绝缘膜被设置于所述半导体层与所述第一栅极电极之间，并且包括第一硅氧化物膜；

源极电极和漏极电极，它们二者与所述半导体层电连接；以及

第二硅氧化物膜，所述第二硅氧化物膜被设置于与所述第一栅极绝缘膜不同的层中，并且

所述第一栅极绝缘膜的所述第一硅氧化物膜是膜密度低于所述第二硅氧化物膜的膜密度的多孔膜。

2.如权利要求1所述的放射线摄像装置，其中，所述场效应晶体管还包括：

第二栅极电极，所述第二栅极电极被设置成面对所述第一栅极电极，且所述半导体层介于所述第二栅极电极与所述第一栅极电极之间；以及

第二栅极绝缘膜，所述第二栅极绝缘膜被设置于所述半导体层与所述第二栅极电极之间，并且包括第三硅氧化物膜。

3.如权利要求1所述的放射线摄像装置，其中，所述场效应晶体管还包括：

第二栅极电极，所述第二栅极电极被设置成面对所述第一栅极电极，且所述半导体层介于所述第二栅极电极与所述第一栅极电极之间；以及

第二栅极绝缘膜，所述第二栅极绝缘膜被设置于所述半导体层与所述第二栅极电极之间，并且包括所述第二硅氧化物膜，

其中，所述场效应晶体管所包括的所述第二栅极绝缘膜、所述半导体层、所述第一栅极绝缘膜和所述第一栅极电极依照此顺序位于所述第二栅极电极上。

4.如权利要求2所述的放射线摄像装置，其中，

所述场效应晶体管所包括的所述第二栅极绝缘膜、所述半导体层、所述第一栅极绝缘膜和所述第一栅极电极依照此顺序位于所述第二栅极电极上，

包括所述第二硅氧化物膜的第一层间绝缘膜被设置于所述场效应晶体管的所述第一栅极电极上，并且

所述第一硅氧化物膜和所述第三硅氧化物膜两者均为多孔膜。

5.如权利要求1所述的放射线摄像装置，其中，所述多孔膜的膜密度等于或小于2.55g/cm³。

6.如权利要求1所述的放射线摄像装置，其中，所述第一硅氧化物膜相邻于所述半导体层而被形成。

7.如权利要求2所述的放射线摄像装置，其中，

所述场效应晶体管所包括的所述第二栅极绝缘膜、所述半导体层、所述第一栅极绝缘膜和所述第一栅极电极依照此顺序位于所述第二栅极电极上，

所述场效应晶体管还包括第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜，所述第一层间绝缘膜被设置于所述场效应晶体管的所述第一栅极电极上且包括所述第二硅氧化物膜，所述第二层间绝缘膜被设置成覆盖所述第一层间绝缘膜、所述源极电极和所述漏极电极，并且

所述第二层间绝缘膜是多孔膜。

8.如权利要求1所述的放射线摄像装置，其中，所述场效应晶体管所包括的所述第一栅极绝缘膜和所述第一栅极电极依照此顺序位于所述半导体层上。

9.如权利要求1所述的放射线摄像装置，其中，所述场效应晶体管所包括的所述第一栅极绝缘膜和所述半导体层依照此顺序位于所述第一栅极电极上。

10.如权利要求1所述的放射线摄像装置，其中，所述半导体层包括多晶硅、微晶硅、非晶硅或氧化物半导体。

11.如权利要求10所述的放射线摄像装置，其中，所述半导体层包括低温多晶硅。