[发明专利]用于形成金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构的机制

权利要求书

1.一种金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构，包括：

衬底，其中，所述衬底具有金属-绝缘体-金属区域和另一区域；以及

金属-绝缘体-金属电容器，形成在所述衬底上，其中，所述金属-绝缘体-金属电容器包括：

底电极，形成在所述衬底上方，其中，所述底电极是顶部金属层的第一部分；

绝缘层，形成在所述底电极上；以及

顶电极，形成在所述绝缘层上；

重分布层(RDL)，形成所述顶部金属层的在另一区域中的第二部分上，所述重分布层与所述顶电极和所述顶部金属层的第二部分直接接触。

2.根据权利要求1所述的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构，其中，所述绝缘层形成在第一钝化层中。

3.根据权利要求2所述的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构，还包括：

第二钝化层，形成在所述第一钝化层上。

4.根据权利要求2所述的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构，其中，所述顶电极的一部分从所述第一钝化层的内部直接延伸至所述第一钝化层的顶面上方。

5.根据权利要求1所述的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构，还包括：

阻挡层，形成在所述底电极或所述顶电极上方。

6.根据权利要求5所述的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构，还包括：

金属焊盘，形成在所述底电极的一部分上，其中，所述金属焊盘由与所述顶电极相同的材料形成。

7.根据权利要求6所述的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构，还包括：

凸块下金属化(UBM)层，形成在所述金属焊盘上方；以及

导电元件，形成在所述凸块下金属化层上。

8.根据权利要求5所述的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构，

其中，所述重分布层由与所述顶电极相同的材料形成。

9.根据权利要求8所述的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构，其中，所述重分布层从第一钝化层之上延伸到达所述顶部金属层的第二部分。

10.一种金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构，包括：

衬底，所述衬底具有金属-绝缘体-金属区域和另一区域；以及

金属-绝缘体-金属电容器，形成在所述衬底上，其中，所述金属-绝缘体-金属电容器包括：

顶部金属层，形成在所述衬底上方，其中，所述顶部金属层的第一部分用作所述金属-绝缘体-金属电容器的底电极；

介电层，形成在所述底电极上；以及

重分布层(RDL)的第一部分，形成在所述金属-绝缘体-金属区域中的所述介电层上，其中，所述重分布层的第一部分用作所述金属-绝缘体-金属电容器的顶电极；以及

所述重分布层的第二部分形成在所述另一区域中的顶部金属层的第二部分上，其中，所述重分布层的第二部分直接接触所述顶电极和所述顶部金属层的第二部分。

11.根据权利要求10所述的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构，其中，所述介电层形成在第一钝化层中。

12.根据权利要求11所述的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构，还包括：

第二钝化层，形成在所述重分布层和所述第一钝化层上。

13.根据权利要求10所述的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构，其中，所述顶部金属层由铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝(Al)合金、钨(W)、钨(W)合金或它们的组合制成。

14.根据权利要求10所述的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构，其中，所述介电层由氧化硅、氮化硅、硅玻璃或它们的组合制成。