[发明专利]一种自调Q激光器

权利要求书

1.一种自调Q激光器，其特征在于，由泵浦源、聚焦透镜、自调Q激光晶体及其表面介质膜组成，泵浦源放置于聚焦透镜前的焦距上，自调Q激光晶体放置于聚焦透镜后面的焦距上。

2.如权利要求1所述的自调Q激光器，其特征在于，所述的泵浦源为产生800nm光的半导体激光器。

3.如权利要求1所述的自调Q激光器，其特征在于，所述的自调Q激光晶体按通光方向切割，切割方向为Z方向。

4.如权利要求1所述的自调Q激光器，其特征在于，所述自调Q激光晶体通光方向长度为20~80 mm；优选长度为35~50mm。

5.如权利要求1所述的自调Q激光器，其特征在于，所述自调Q激光晶体采用Er:LGS晶体，其中铒离子掺杂浓度为0.1~30at%；优选的铒离子掺杂浓度为2~10at% 。

6.如权利要求1所述的自调Q激光器，其特征在于，所述聚焦透镜的焦距长为1~100mm，优选的焦距长为5~30mm。

7.如权利要求1所述的自调Q激光器，其特征在于，所述自调Q激光晶体表面的介质膜包括：靠近半导体激光器的通光面镀以对1540nm高反射的介质膜和对800nm高透射的介质膜，远离半导体激光器的通光面镀以对1540nm高透过的介质膜，Er:LGS晶体双X面镀金。