[发明专利]掺氮石墨烯的制备方法在审

专利信息
申请号: 201410314717.3 申请日: 2014-07-03
公开(公告)号: CN104108703A 公开(公告)日: 2014-10-22
发明(设计)人: 张校刚;王婕;申来法;王建中;徐云玲 申请(专利权)人: 南京航空航天大学
主分类号: C01B31/04 分类号: C01B31/04
代理公司: 江苏圣典律师事务所 32237 代理人: 贺翔
地址: 210016 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 石墨 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种石墨烯的制备方法,具体涉及一种用于超级电容器的掺氮石墨烯制备方法,属于碳材料技术领域。

背景技术

超级电容器又称电化学电容器,具有容量大、功率密度高、对环境无污染、循环寿命长、使用温度范围宽等优点,在移动电子产品、可再生能源生产、航天系统、运输系统等领域拥有诸多的潜在应用价值。为进一步提高超级电容器的能量密度,人们在不断研究碳基双电层电容器材料,希望获得在比表面积、电导率和孔隙率这三个方面均有优异性能的碳材料。

石墨烯是一种由碳原子构成的单层片状结构新型碳材料,具有大的理论比表面积、优异的电子导电性和导热性、高的力学强度,符合高能量密度和高功率密度的超级电容器对电极材料的要求,是理想的超级电容器电极材料。通过氮的掺杂,不仅能够改变石墨烯的电子结构,提高石墨烯的导电性和稳定性,还能在石墨烯的碳网格中引入含氮原子结构,增加石墨烯表面的电化学活性位点。目前掺氮石墨烯的制备方法有化学气相沉积法、氨源热解法、氮等离子放电法、溶剂热法以及含氮前驱体转换法等,但这些方法对制备设备要求较高且操作复杂,很难得以推广,并且制得的石墨烯往往团聚严重、有效比表面小、含氮量较低,掺入的氮原子电化学活性也较低,不利于其作为超级电容器电极材料进行应用。

发明内容

本发明所要解决有技术问题在于克服现有技术缺陷,提供一种工艺简单易行、生产成本低廉且能提高有效比表面积的掺氮石墨烯制备方法。

为了解决上述技术问题,本发明提供的掺氮石墨烯的制备方法,具体包括以下步骤: 

步骤1、将蒙脱石作为硬模板均匀分散在水溶液中,形成质量分数为0.5-1mg/mL的悬浮液,并将悬浮液pH值调节至1-5;

步骤2、将含氮有机小分子作为碳源加入步骤1所述悬浮液中,搅拌后加入引发剂,诱导含氮有机小分子发生聚合;

步骤3、将步骤2所得的聚合产物沉淀进行抽滤、洗涤和干燥,在氮气气氛下进行煅烧碳化;

步骤4、将步骤3所得的产物用氢氟酸溶液洗涤,除去硬模板,并用去离子水反复洗涤,抽滤、烘干,得到掺氮石墨烯。

本发明中,所述步骤1中硬模板具有平行板结构,且层间距应为1-3nm。

本发明中,所述步骤1中采用盐酸调节悬浮液的pH值。

本发明中,所述步骤2中的含氮有机小分子为苯胺、吡咯和多巴胺中的任意一种或几种。

本发明中,所述步骤2中的含氮有机小分子与步骤1中加入的蒙脱石质量比为1:1-3。

本发明中,所述步骤2中引发剂为浓度为10mmol/mL的三羟甲基氨基甲烷溶液或浓度为1mol/mL的过硫酸铵。

本发明中,所述步骤2中的聚合时间应为24-72h之间。

本发明中,所述步骤3中煅烧条件为以3°C/min的升温速度升温到900°C,保温2h。

本发明中,所述步骤4中氢氟酸溶液的浓度为30%。

本发明的工作原理:拟通过对石墨烯掺氮,打开能带隙并调整导电类型,改变石墨烯的电子结构,提高石墨烯的自由载流子密度,从而提高石墨烯的导电性和稳定性。此外,硬模板的纳米层平行结构产生的限域效应,在碳化过程中,可向石墨烯的碳网格中引入具有高电化学活性的sp2杂化的氮原子,并且这一硬模板能有效地阻止了石墨烯的堆叠,提高了石墨烯的有效比表面积。

本发明的有益效果在于:(1)、本发明采用廉价的含氮有机小分子作为碳源,利用硬模板的平行结构与纳米空间限域效应,使有机物在碳化过程中形成缺陷少、质量高、有效比表面积大的掺氮石墨烯材料;(2)、本发明制备的石墨烯材料,在保证石墨烯原有的优良性质同时,进行了合理的一步氮掺杂,提高导电性的同时增加了电化学活性位点;(3)、与化学气相沉积和化学剥离法等制备方法相比,本发明制备工艺简单、条件温和、成本低廉、重现性好,易于应用。

附图说明

图1是本发明制备掺氮石墨烯的合成路线示意图;

图2是本发明实施例1所得掺氮石墨烯样品的扫描电子显微镜照片;

图3是本发明实施例1所得掺氮石墨烯样品的透射电子显微镜照片;  

图4是本发明实施例1所得掺氮石墨烯样品的X射线光电子能谱全谱图(a);高分辨N1s X射线光电子能谱谱图(b);

图5是本发明实施例1所得掺氮石墨烯样品的循环伏安曲线;

图6是本发明实施例1所得掺氮石墨烯样品的充放电曲线。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细说明。

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