[发明专利]“V”型播种法

说明书

技术领域

本发明是一种“V”型播种法。

背景技术

传统的播种方法一般都是采用平面播种，就是将种子播种到土壤地表以下2-3cm处,然后盖上泥土即完成。此种播种方法存在如下问题：1、在粘土地上，在2-3cm的深度范围内，经过耕、耙等多层次的作业后，土壤墒情散失严重，大部分土壤墒情不足，难以原墒全面，需要抗旱补墒才能全苗；在抗旱补墒的过程中，不仅会造成肥料流失，而且会形成过水时间偏长导致僵种、烂种，不能够实现全苗、匀苗，无法满足高产栽培所必需的条件；2、只能正常吸收光能，不能聚集光能；3、作物易倒伏而减产；4、北方冬麦区经常遭受冻害而减产；5、冬春易形成干旱而减产。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提出了一种“V”型播种法，以达到作物播种后能够确保原墒出苗、集聚光能、促进作物的光合作用、保温防冻、降低株高防止作物倒伏、抵御干旱和提高产量的目的。

“V”型播种法，其具体的操作步骤如下：

(1).将种子播种入土至7-8cm深处；

(2).在种子的上方开出一个深度为5-6cm，槽口宽度7-8cm的“V”型槽子。

通过上述技术方案，本发明通过将种子播种在地表下方7-8cm深处，并在种子上方开出一个“V”型槽口，以达到确保种子安全出苗、聚集光能、促进光合作用、保温防冻、降低株高、防止作物倒伏、抵御干旱和提高产量的目的。

具体实施方式

下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

本发明提供了一种“V”型播种法，其工作原理是通过将种子播种在地表下方7-8cm深处，并在种子上方开出一个“V”型槽口，该“V”型槽口可以使种子上方的盖土深度控制在2-3cm,确保种子能够吸足水分后安全出苗；该“V”型槽口可以利用其独特的“V”型结构聚焦并反射光能，增强光合作用，促进幼苗生长。同时，产生温室效应，提高温度，防止或减轻冻害的发生，促进幼苗的快速生长，以苏北地区为例，该地区的冻土层一般在3-5cm，传统的播种方法将种子播种在2-3cm深处，处于冻土层内，容易形成冻害。而“V”型播种法将种子播种在7-8cm深处，种子处在冻土层以下。尽管开出的“V”型槽子会使冻土层下移，但其会比平面播种法的保温防冻的效果要好得多。越冬期间，经过一个时期的冻融风化后，“V”型槽口斜坡上的泥土，会有一部分回塌到槽子的底部，对麦苗的分蘖节形成保护，大大增强了植株保温防冻的效果，使植株免受冻害，安全越冬。另外，将种子播种在地表以下7-8cm深处，可使幼苗在后续的生长过程中能够很快吸收到土壤深处的养分和水分，促进幼苗的生长。将种子由原来的播深2-3cm，增加到7-8cm，就是用物理的办法，将植株的高度下降了5cm，可有效地预防作物的倒伏(因为，株高越矮，抗倒能力越强)。同时，还可以避免以往在使用化学药剂防倒的过程中，药剂对作物的生理伤害，降低了成本，保证了作物的健康成长。增加播种深度后，作物可以吸收土壤深处的水分，这样就比平面播种的做法更能抵御干旱少雨对作物的影响(因为，越往土壤深处，土壤水分的含量越高)，从而提高作物的产量。

通过以上的方式，本发明所提供的一种深播浅盖法，通过将种子播种在地表下方7-8cm深处，并在种子上方开出一个“V”型槽口，以达到确保种子安全出苗、聚集光能、促进光合作用、保温防冻、降低株高、防止作物倒伏、抵御干旱和提高产量的目的。

以上所述的仅是本发明所公开的一种“V”型播种法优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。