[发明专利]存储器和包括其的存储器系统

说明书

一种存储器包括：第一单元区块，其包括多个第一字线以及用于替换所述多个第一字线中的至少一个的一个或更多个第一冗余字线；第二单元区块，其包括多个第二字线以及用于替换所述多个第二字线中的至少一个的一个或更多个第二冗余字线；以及控制单元，其适于在目标刷新区段期间顺序地接收一个或更多个输入地址、响应于第一输入地址而选择第一单元区块和第二单元区块中的一个以及选择的单元区块中包括的字线、以及在基于第一输入地址而选择的所述选择的字线与冗余字线相邻时激活与所述选择的字线相邻的一个或更多个相邻字线，其中，相邻字线包括冗余字线。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年8月14日提交的第10-2013-0096435号韩国专利申请的优先权，其全文通过引用方式并入本文中。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及存储器和包括其的存储器系统。

背景技术

存储器的存储器单元包括充当开关的晶体管以及可储存电荷(即，数据)的电容器。数据为高(逻辑“1”)还是低(逻辑“0”)是通过存储器单元的电容器中是否存在电荷、即电容器的两个端子之间的电势是为高还是低来判断的。

储存在电容器中的数据呈积累电荷的形式。理想地，储存的电荷不存在功耗。由于因金属氧化物半导体(MOS)晶体管的PN结而发生泄漏电流，最初储存在电容器中的电荷量丢失，因此可能丢失储存的数据。为防止这种损失，需要在数据丢失之前读取存储器单元内的数据，且需要基于读取的信息而将正常的电荷量再充电。存储器的数据仅在这种操作被周期性地重复时才保持完整。单元电荷的这种再充电过程被称作刷新操作。

图1是说明存储器中包括的单元阵列的一部分的图，用于描述字线干扰。

参考图1，“WLK-1”、“WLK”和“WLK+1”是平行安置的三个字线。由“HIGH_ACT”指示的字线WLK是频繁激活的字线，其具有大量激活次数或高激活频率，字线WLK-1和WLK+1是相邻于WLK的相邻字线。“CELL_K-1”、“CELL_K”和“CELL_K+1”是与相应的字线WLK-1、WLK和WLK+1耦合的存储器单元。存储器单元CELL_K-1、CELL_K和CELL_K+1包括相应的单元晶体管TR_K-1、TR_K和TR_K+1以及相应的单元电容器CAP_K-1、CAP_K和CAP_K+1。用作参考，“BL”和“BL+1”指示位线。

当频繁激活的字线WLK被激活和预充电时，相邻字线WLK-1和WLK+1的电压因发生在频繁激活的字线WLK与相邻字线WLK-1和WLK+1之间的耦合现象而增加或减小。因此，储存在单元电容器CAP_K-1、CAP_K和CAP_K+1中的电荷量受影响。如果频繁激活的字线WLK在激活状态与预充电状态之间触发，则储存在存储器单元CELL_K-1和CELL_K+1中的数据可能因储存在单元电容器CAP_K-1和CAP_K+1中的电荷量的改变而丢失。

此外，由于字线在激活状态与预充电状态之间触发时所产生的电磁波诱发且消耗储存在存储器单元的单元电容器中的电子，因此可能损坏储存在与相邻字线耦合的存储器单元中的数据。

发明内容

本发明的各种示例性实施例针对一种用于防止因刷新相邻字线而损坏储存在与相邻于频繁激活的字线的字线耦合的存储器单元中的数据的存储器和存储器系统。

此外，本发明的各种示例性实施例针对一种用于防止在频繁激活的字线为替换正常字线的冗余字线时储存在与相邻字线耦合的存储器单元中的数据损坏的存储器和存储器系统。