[发明专利]形成半导体器件和FinFET器件的方法及FinFET器件

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成模板材料；

在对所述模板材料进行脱氧之后，在所述模板材料上方形成包括AlInAsSb的阻挡材料；以及

在阻挡层上方形成晶体管的沟道材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述阻挡材料包括形成含有0.5％至15％的In的阻挡材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述阻挡材料包括形成厚度为4nm至80nm的阻挡材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述沟道材料包括形成厚度为3nm至40nm的沟道材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述模板材料包括形成厚度为10nm至100nm的模板材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述沟道材料包括外延生长所述沟道材料，并且所述阻挡材料包括用于外延生长所述沟道材料的晶种层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述沟道材料包括形成平面晶体管的沟道或形成鳍式场效应晶体管(FinFET)的沟道。

8.一种形成鳍式场效应晶体管FinFET器件的方法，所述方法包括：

在衬底中形成浅沟槽隔离STI区域；

使位于两个所述STI区域之间的所述衬底的一部分凹进；

在所述衬底上方形成模板材料；

在所述模板材料上方形成包括AlInAsSb的阻挡材料；

在所述阻挡层上方形成沟道材料；

使所述STI区域凹进，其中，设置在所述STI区域的保留部分的顶面上方的所述沟道材料的一部分形成半导体鳍；

在所述半导体鳍的侧壁和顶面上形成栅极电介质；以及

在所述栅极电介质上方形成栅电极。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括在形成所述阻挡材料之前，对所述模板材料进行脱氧。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，对所述模板材料进行脱氧包括在As或P流体存在的情况下加热所述FinFET器件。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，对所述模板材料进行脱氧包括在500℃至600℃的温度下加热所述FinFET器件。

12.根据权利要求9所述的方法，进一步包括当对所述模板材料进行脱氧时，监测所述模板材料的表面，从而确保所述模板材料的稳定的表面重建。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，监测所述模板材料的表面包括使用反射高能电子衍射(RHEED)。

14.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述阻挡材料包括在450℃至560℃的温度下引入As2、Sb、In和Al的流体。

15.一种鳍式场效应晶体管FinFET器件，包括：

衬底；

模板材料，设置在所述衬底上方；

阻挡材料，包括AlInAsSb，在对所述模板材料进行脱氧后设置在所述模板材料上方；以及

沟道材料，设置在所述阻挡材料上方。

16.根据权利要求15所述的FinFET器件，其中，所述模板材料、所述阻挡材料和所述沟道材料组成半导体鳍，并且所述FinFET进一步包括：

第一STI区域，位于所述鳍的第一侧上；以及

第二STI区域，位于所述鳍的第二侧上，所述第二侧与所述第一侧相对，其中，所述鳍的沟道材料的一部分设置在所述第一STI区域和所述第二STI区域的顶面之上。