[发明专利]ZrS3纳米带薄膜的柔性光探测器

说明书

技术领域

本发明涉及三硫化锆纳米带柔性光探测器的加工。具体地说，用气相传输法在基片上定向生长的ZrS₃纳米带薄膜，然后用透明胶带或双面胶带粘帖薄膜并转移到柔性的胶片或纸上，再通过简易掩膜并真空蒸镀金属电极，移去掩膜，使其在两电极之间只留下未被金属覆盖的ZrS₃薄膜。

背景技术

一维纳米材料因其量子限域效应而具有的特殊的物理和化学性质而引起了科学界的广泛关注，也由于它的独特的形貌便于纳米器件的加工。ZrS₃是一个带有直接光学能隙为2.56eV的p型半导体。它具有假一维的晶体结构，因此表现出各项异性的物理性能。过去我们曾用气运传输法在金属锆的基片上生长ZrS₃纳米带阵列，同时将它真空热转化为ZrS₂纳米带阵列将并两者都加工成电子场发射器件获得了良好的结果[参见：Y.L.Zhang，X.C.Wu，Y.R.Tao，C.J.Mao，J.J.Zhu，Chem.Commun.2008，26832.]。随后我们用单根ZrS₂纳米带加工成场效应晶体管和光探测器发现其可见光的探测性能【参见：L.Li，X.S.Fang，T.Y.Zhai，M.Y.Liao，U.K.Gautam，X.C.Wu，Y.Koide，Y.Bando，D.Golberg，Adv.Mater.2010，22，4151.】。在这里我们发明用胶带粘帖转移法在其他柔性基底如聚丙烯，聚乙烯和纸等加工光传感器件。

发明内容

本发明的目的是提供基于ZrS₃纳米带薄膜光探测器及其加工方法。

本发明的技术方案如下：

(1)ZrS₃纳米带薄膜的制备：它是将锆片与硫粉按1∶3的摩尔比放入石英管中，抽真空至内剩压10^-2Pa以下，将石英管烧密封，把石英管放在水平管式炉中，使样品置于炉子的中间在500-700℃下加热2-10小时，即在锆片表面生长出上述的单斜晶系的ZrS₃纳米带薄膜。

(2)ZrS₃纳米带薄膜柔性光探测器的器件加工方法：普通的透明的单面胶带或双面带按一定的尺寸剪小并将胶粘面粘贴到上述薄膜上并按压，剥开胶带此时薄膜就转移到胶带上。如保留在单面胶带上此胶带成为基底，保留在双面胶带上另一面的纸做基地，如果预先将双面胶带粘在其它柔性基底上按同样方法转移，形成其他柔性基底的器件。然后在转后的薄膜上放置直径从微米到毫米量级的金属线或其他线作为隔断，并剪一框式掩膜覆盖之。然后真空蒸镀导电材料如Au，Ti/Au，Cr/Au，ITO，Cu，Al等，移去上层膜和金属线，就形成光探测器。整个加工过程如图1所示。

本发明的ZrS₃纳米带薄膜柔性光探测器能从紫外到近红外光范围的探测，响应速度快，原料易得，制作简单实用，可以在军事和日用中发挥作用。

附图说明

图1为本发明的ZrS₃纳米带薄膜柔性器件的加工过程；

图2为本发明：(a)在锆片上生长的ZrS₃纳米带薄膜SEM照片；(b)在聚乙烯(PP)基底实物图；(c)对光的I-V曲线；(d)对光的时间相应；

图3为本发明：(a)纸基底实物图；(b)对光的I-V曲线；(c)对光的时间相应；(d)聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基底的实物图；(e)对光的I-V曲线。

具体实施方式

实施例1.ZrS₃纳米带薄膜聚乙烯基底器件加工

A.将锆片(2.88mmol，32mm×5mm×0.2mm)与硫粉(0.5769mmol)密封在石英管(Φ6mm×10cm，ca.10^-2Pa)中，样品放在石英管的一端。把石英管放在水平的放置的熔炉(furnace tube：Φ5cm×30cm)中，使样品置于炉子的中间，在650℃下加热5小时，冷却，即在锆片上形成了ZrS₃纳米带薄膜，纳米带的尺寸宽约0.85微米，厚约70纳米，长约几十微米，结构被XRD证实，形貌被SEM证实(如图2(a))。

B.将上述得到的ZrS₃薄膜用单面胶带粘帖转移，并用金属线和框式罩遮蔽然后蒸Ti(50nm)/Au(100nm)导电膜，撕去罩子和导线获得器件1(过程如图1).实物图如2(b).