[发明专利]互连结构的形成方法

权利要求书

1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成第一介质层，在所述第一介质层中形成金属插塞，所述第一介质层为K小于2.6的材料；

对所述第一介质层表面和金属插塞表面进行电子束检测；

对经电子束检测的所述第一介质层表面和金属插塞表面进行等离子体清洗，所述等离子体清洗步骤包括采用还原性气体形成的等离子体与氧化物的籽颗粒反应以进行清洗；

在所述第一介质层和金属插塞上覆盖第二介质层。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第一介质层中形成金属插塞的步骤包括：

在所述第一介质层中形成通孔；

在所述通孔中填充金属层；

对所述金属层和第一介质层进行化学机械研磨至所述金属层表面和第一介质层表面齐平。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，在对所述金属层和第一介质层进行化学机械研磨之后，对所述第一介质层表面和金属插塞表面进行等离子体清洗之前，所述形成方法还包括：对所述第一介质层表面和金属插塞表面进行电子束检测。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述等离子体清洗的步骤包括：在等离子体反应腔室中进行所述等离子体清洗，所述还原性气体包括氨气。

5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，在所述等离子体清洗的步骤包括：等离子体反应腔室内的气压在3到8托的范围内，功率在100到3000瓦的范围内，氨气的流量在100到5000标况毫升每分的范围内。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述等离子体清洗的步骤包括：第一等离子清洗和第二等离子清洗，在第一等离子清洗和第二等离子清洗步骤之间，在所述第一介质层表面和金属插塞表面通入去离子水，以进行清洗。

7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，在所述第一介质层表面和金属插塞表面通入去离子水的流量在100到5000毫升每分钟的范围内，持续时间在1到120秒的范围内。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第一介质层中形成金属插塞的步骤包括：所述金属插塞的材料为钨或铜。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料为氧化硅。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一介质层和金属插塞上覆盖第二介质层之后，还包括：在所述第二介质层表面形成硬掩模层，图形化所述硬掩模层，以所述图形化的硬掩模对第二介质层进行刻蚀，以形成露出所述金属插塞的通孔或沟槽；

在所述通孔或沟槽中填充金属，以形成与所述金属插塞相连的导电插塞。

11.如权利要求1或10所述的形成方法，其特征在于，所述第二介质层为K小于3的材料，或，所述第二介质层为K小于2.6的材料。