[发明专利]晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括有源区、以及位于所述有源区周围的隔离结构，所述隔离结构的材料包括氧离子；

至少在衬底有源区表面形成栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层表面的栅极层，所述栅介质层的材料为高K介质材料，所述栅极结构至少一端延伸至所述隔离结构表面，所述隔离结构与所述栅介质层之间的接触面积大于预设面积；

在栅极结构两侧的有源区内形成源漏区；

在形成所述栅介质层之后，至少进行一次热处理过程，使隔离结构中的氧离子扩散入栅介质层内。

2.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的材料包括Hf基材料，所述Hf基材料包括HfO₂或HfSiO。

3.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述源漏区内掺杂有N型离子，所述N型离子包括P离子、As离子或Sb离子。

4.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述隔离结构的材料为氧化硅或氮氧化硅。

5.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述预设面积小于0.01μm²。

6.如权利要求5所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述接触面积为0.01μm²～100μm²。

7.如权利要求6所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述接触面平行于栅极结构侧壁方向的尺寸为0.01μm～10μm，所述接触面垂直于栅极结构侧壁方向的尺寸为0.01μm～10μm。

8.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅极结构的一端或两端延伸至隔离结构表面。

9.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅极层的材料包括铜、钨、铝、钛、氮化钛、钽、氮化钽中的一种或多种组合。

10.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅极结构投影于衬底表面的图形为条形。

11.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅极结构的数量大于或等于1；当所述栅极结构的数量大于1时，若干栅极结构平行排列。

12.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述衬底内具有若干有源区，所述隔离结构位于相邻有源区之间，所述栅极结构横跨于若干相邻有源区表面和隔离结构表面，且位于相邻有源区之间的栅极结构与所述隔离结构之间的接触面积大于预设面积。

13.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在源漏区表面形成导电插塞。

14.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在栅极结构顶部表面形成导电插塞。

15.如权利要求13或14所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述导电插塞的材料包括铜、钨、铝、钛、氮化钛、钽、氮化钽中的一种或多种组合。