[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

随着显示技术的急速进步，作为显示装置核心的半导体元件技术也随之得到了飞跃性的进步。对于现有的显示装置而言，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)作为一种电流型发光器件，因其所具有的自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。OLED按驱动方式可分为PMOLED(Passive Matrix Driving OLED，无源矩阵驱动有机发光二极管)和AMOLED(Active Matrix Driving OLED，有源矩阵驱动有机发光二极管)两种。

由于AMOLED显示器具有低制造成本、高应答速度、省电、可用于便携式设备的直流驱动、工作温度范围大等等优点而可望成为取代LCD(liquid crystal display,液晶显示器)的下一代新型平面显示器。

在AMOLED的构架中，可使用非晶硅、多晶硅、氧化物半导体或有机薄膜晶体管驱动，由于非晶硅或有机薄膜晶体管的载流子迁移率小，电阻率大，通过相同电流时，功耗较大，电流承载能力较小，因此驱动高亮度的OLED所需的电压较高且器件体积较大。现有的，在AMOLED阵列基板中采用多晶硅的结构，如图1所示，由多晶硅构成的多晶硅有源层102位于缓冲层200的表面；上述多晶硅有源层102的表面依次具有栅极绝缘层101、栅极100、层间绝缘层201；源极106和漏极107通过位于层间绝缘层201表面的过孔与该多晶硅有源层102电连接，像素电极108通过位于钝化层103表面的过孔与漏极107电连接；像素电极108以及钝化层103的表面设置有像素界定层109。

然而，采用现有技术在制作上述AMOLED阵列基板的过程中，通常需要多次应用构图工艺，例如8～9道掩膜曝光工艺。这样一来，不仅工艺过程复杂，成本较高，而且繁琐的工艺步骤还会导致生产误差的不断叠加，使得AMOLED显示装置的质量难以保证。

发明内容

本发明的实施例提供阵列基板及其制作方法、显示装置，减少低温多晶硅AMOLED阵列基板制作过程中的掩膜曝光工艺的次数。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例的一方面，提供一种阵列基板的制作方法，包括：

在衬底基板上通过一次构图工艺形成包括栅极、栅极绝缘层、多晶硅有源层的图案；

在形成有上述图案的基板表面，形成钝化层，并在所述钝化层的表面通过一次构图工艺形成第一过孔和第二过孔的图案；

在形成有上述图案的基板表面，通过一次构图工艺形成源极、漏极以及像素电极的图案；其中，所述源极通过所述第一过孔与所述多晶硅有源层电连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述多晶硅有源层电连接；

在形成有上述图案的基板表面通过一次构图工艺形成像素界定层的图案。

本发明实施例的另一方面，提供一种阵列基板，包括：

衬底基板；

形成于所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、多晶硅有源层；

形成于所述多晶硅有源层表面的钝化层，以及位于所述钝化层表面的第一过孔和第二过孔；

通过所述第一过孔与所述多晶硅有源层电连接的源极；

通过所述第二过孔与所述多晶硅有源层电连接的漏极；

与所述漏极电连接的像素电极。

本发明实施例的又一方面，提供一种显示装置，包括如上所述的任意一种阵列基板。

本发明实施例提供阵列基板及其制作方法、显示装置。在制备上述阵列基板的过程中，可以通过一次构图工艺在衬底基板上形成包括栅极、栅极绝缘层、多晶硅有源层；再通过一次构图工艺形成位于钝化层表面的第一过孔和第二过孔的图案；又通过一次构图工艺形成源极、漏极以及像素电极；其中，源极、漏极分别通过第一过孔和第二过孔与多晶硅有源层电连接。最后，通过一次构图工艺形成像素界定层。这样一来，在AMOLED阵列基板的过程中只采用了四次构图工艺，有效减少了构图工艺的使用数量，简化工艺步骤，减小生产误差，提高了生产效率和质量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图；