[发明专利]一步制备迭孔金属层的方法在审
| 申请号： | 201410306943.7 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104078419A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 傅海林;吴敏;王一 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一步 制备 金属 方法 | ||
1.一种一步制备迭孔金属层的方法，包括：
提供一半导体基底；
在所述半导体基底上依次沉积一介电层和一顶层；
选择性刻蚀所述顶层和所述介电层，在所述介电层中形成浅沟槽；
选择性刻蚀，在所述浅沟槽中形成一通孔；
对所述浅沟槽和所述通孔同时进行刻蚀，所述浅沟槽的深度增加，所述通孔的深度增加，所述通孔贯穿所述介电层；
在所述浅沟槽和所述通孔中填充金属层，形成所述迭孔金属层。
2.如权利要求1所述的一步制备迭孔金属层的方法，其特征在于，在所述半导体基底和所述介电层之间形成一阻挡层。
3.如权利要求2所述的一步制备迭孔金属层的方法，其特征在于，采用化学气相沉积所述阻挡层。
4.如权利要求2所述的一步制备迭孔金属层的方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为氮掺杂的碳化硅层或氮化硅。
5.如权利要求1所述的一步制备迭孔金属层的方法，其特征在于，采用化学气相沉积所述介电层。
6.如权利要求1所述的一步制备迭孔金属层的方法，其特征在于，所述介电层为掺杂氟的氧化硅薄膜、未掺杂的氧化硅薄膜。
7.如权利要求1所述的一步制备迭孔金属层的方法，其特征在于，在所述半导体基底上依次沉积一介电层和一顶层的步骤和在选择性刻蚀所述顶层和所述介电层的步骤之间，在所述介电层上形成一金属掩模板。
8.如权利要求7所述的一步制备迭孔金属层的方法，其特征在于，采用物理气相沉积所述金属掩模板。
9.如权利要求7所述的一步制备迭孔金属层的方法，其特征在于，所述金属掩模板的材料为氮化钛。
10.如权利要求1所述的一步制备迭孔金属层的方法，其特征在于，采用化学气相沉积所述顶层。
11.如权利要求1所述的一步制备迭孔金属层的方法，其特征在于，所述顶层为氧化硅保护层。
12.如权利要求1所述的一步制备迭孔金属层的方法，其特征在于，在所述浅沟槽和所述通孔中填充金属，形成所述迭孔金属层的步骤中包括：
在所述浅沟槽和所述通孔的侧壁淀积金属阻挡层和金属籽晶层；
在所述浅沟槽和所述通孔中填充所述金属层；
进行研磨平坦化，形成所述迭孔金属层。
13.如权利要求12所述的一步制备迭孔金属层的方法，其特征在于，所述金属阻挡层的材料为氮化钽或钽。
14.如权利要求12所述的一步制备迭孔金属层的方法，其特征在于，所述金属籽晶层为铜籽晶层。
15.如权利要求12所述的一步制备迭孔金属层的方法，其特征在于，采用电化学镀法填充所述金属层。
16.如权利要求12所述的一步制备迭孔金属层的方法，其特征在于，所述金属层为铜金属层。
17.如权利要求12所述的一步制备迭孔金属层的方法，其特征在于，所述研磨平坦化采用化学机械抛光法。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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