[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第1导电型的第1半导体层，具有第1面和与所述第1面对置的第2面；

第2导电型的第2半导体层，设置于所述第1面侧；

第2导电型的第3半导体层，部分地设置在所述第2半导体层内；

第1导电型的第4半导体层，设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，具有与所述第3半导体层对置且具有第1杂质浓度的第1区域、以及具有比所述第1杂质浓度高的第2杂质浓度的第2区域；

第1导电型的第5半导体层，设置于所述第2面；

导电体，经由绝缘膜与所述第1半导体层、所述第2半导体层以及所述第3半导体层相接；

第1电极，与所述第2半导体层、所述第3半导体层以及所述导电体电连接；以及

第2电极，与所述第5半导体层电连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1杂质浓度与所述第1半导体层的杂质浓度相同。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2半导体层具备第3区域和第4区域，该第3区域位于所述第3半导体层与所述第4半导体层之间，具有第3杂质浓度，该第4区域位于所述第1电极与所述第4半导体层之间，具有比所述第3杂质浓度低的第4杂质浓度。