[发明专利]物理量传感器

权利要求书

1.一种物理量传感器，其利用压阻效应来探测物理量，所述物理量传感器的特征在于，具有：

第1导电型的阱层，其形成在第1绝缘层上；和

多个第2导电型的压阻层，其形成在所述第1导电型的阱层的表面侧，

在所述多个第2导电型的压阻层之间，具有从所述第1导电型的阱层的表面贯通至所述第1绝缘层的表面的第2导电型的分离层。

2.根据权利要求1所述的物理量传感器，其特征在于，

所述多个第2导电型的压阻层包含：

第1压阻层，其形成于靠近电源焊盘的位置；和

第2压阻层，其形成于远离所述电源焊盘的位置，

所述物理量传感器构成桥接电路，该桥接电路具有：

第1压阻元件，其具有所述第1压阻层；和

第2压阻元件，其具有所述第2压阻层，

在所述第1压阻元件与所述第2压阻元件之间形成了所述分离层。

3.根据权利要求1或2所述的物理量传感器，其特征在于，

所述第2导电型的分离层形成为包围所述第1导电型的阱层的周围。

4.根据权利要求1或2所述的物理量传感器，其特征在于，

形成所述多个第2导电型的压阻层的所述第1导电型的阱层分别被设置于规定电位。

5.根据权利要求1或2所述的物理量传感器，其特征在于，

具有在所述第1导电型的阱层的表面形成的第2绝缘层，

在位于所述第2绝缘层与所述多个第2导电型的压阻层之间的所述第1导电型的阱层内，将第1导电型的屏蔽层设置为在俯视下与所述多个第2导电型的压阻层相重叠。

6.根据权利要求1或2所述的物理量传感器，其特征在于，

具有：第2绝缘层，其形成在所述第1导电型的阱层的表面；和第2导电型的引出布线层，其与所述第2导电型的压阻层相连接，并且形成在所述第1导电型的阱层内，

在所述第1导电型的阱层内，将第1导电型的屏蔽层设置为与所述第2绝缘层相接触，并且在俯视下与所述第2导电型的引出布线层不重叠。

7.根据权利要求5所述的物理量传感器，其特征在于，

所述第1导电型的屏蔽层与所述第1导电型的阱层设置于相同电位。

8.根据权利要求6所述的物理量传感器，其特征在于，

所述第1导电型的屏蔽层与所述第1导电型的阱层设置于相同电位。

9.根据权利要求1或2所述的物理量传感器，其特征在于，

所述第1导电型的阱层由将2枚硅基板夹着氧化膜粘合而成的SOI基板的一方的硅基板构成。