[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第一氮化物半导体层；

第二氮化物半导体层，设置在上述第一氮化物半导体层上，禁带比上述第一氮化物半导体层的禁带大；

源极电极，设置在上述第二氮化物半导体层上；

漏极电极，设置在上述第二氮化物半导体层上；

第三氮化物半导体层，设置在上述源极电极与上述漏极电极之间的上述第二氮化物半导体层上，杂质浓度小于等于1×10¹⁷atoms/cm³，禁带比上述第二氮化物半导体层的禁带小；

p型的第四氮化物半导体层，设置在上述第三氮化物半导体层上；以及

栅极电极，设置在上述第四氮化物半导体层上。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第三氮化物半导体层的膜厚大于等于1nm且小于等于10nm。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

上述第四氮化物半导体层的p型杂质浓度大于等于1×10¹⁸atoms/cm³。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

上述第三氮化物半导体层以及上述第四氮化物半导体层是单晶体层。

5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在底面和侧面位于上述第二氮化物半导体层内的凹部的上述底面和上述侧面，设置有上述第三氮化物半导体层。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

上述第三氮化物半导体层在上述侧面上的膜厚大于上述第三氮化物半导体层在上述底面上的膜厚。

7.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

相对于上述第一氮化物半导体层与上述第二氮化物半导体层的界面，上述侧面具备不足90度的倾斜角。

8.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

上述第三氮化物半导体层与上述第四氮化物半导体层的界面比上述第二氮化物半导体层的与上述第一氮化物半导体层相反一侧的表面更位于上述栅极电极侧。

9.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

上述第四氮化物半导体层作为p型杂质而含有镁Mg。

10.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一氮化物半导体层是Al_XGa_1－XN，其中0≤X＜1，

上述第二氮化物半导体层是Al_YGa_1－YN，其中0＜Y≤1，X＜Y，

上述第三氮化物半导体层是Al_ZGa_1－ZN，其中0≤Z＜1，Y＞Z，

上述第四氮化物半导体层是Al_UGa_1－UN，其中0≤U＜1。