[发明专利]一种半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201410304321.0 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN104112670B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 杨彦涛;江宇雷;赵金波;袁家贵;崔小锋;赵学峰 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，包括：
提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成一研磨停止层；
刻蚀所述研磨停止层和部分厚度的半导体衬底，同时形成标记窗口和掺杂区沟槽；
进行外延生长工艺形成外延层，所述外延层覆盖所述研磨停止层并填满所述标记窗口和掺杂区沟槽；
进行化学机械研磨工艺，以暴露所述研磨停止层表面；以及
去除所述研磨停止层，形成光刻标记和掺杂区，所述光刻标记和掺杂区的顶面高于所述半导体衬底的表面，所述光刻标记和掺杂区的顶面与所述半导体衬底表面的高度差为
2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述研磨停止层是氮化硅、氮氧化物或多晶硅中的一种或者多种。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，刻蚀所述研磨停止层和部分厚度的半导体衬底时采用干法刻蚀工艺。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件是N型超结MOSFET，所述半导体衬底是N型半导体衬底，所述外延生长工艺是P型外延生长工艺。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述P型外延生长工艺采用SiH2CL2、SiHCL3、SiCL4作为硅源，采用硼烷作为掺杂源。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件是P型超结MOSFET，所述半导体衬底是P型半导体衬底，所述外延生长工艺是N型外延生长工艺。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，采用缓冲氢氟酸溶液去除所述研磨停止层。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，进行化学机械研磨工艺之后、去除所述研磨停止层之前进行低温热氧生长工艺，所述低温热氧生长工艺的温度为500～1000℃。
9.一种半导体器件，采用如权利要求1至8中任意一项所述的方法形成，其特征在于，包括半导体衬底以及形成于所述半导体衬底中的光刻标记和掺杂区，所述光刻标记和掺杂区的顶面高于所述半导体衬底的表面。
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