[发明专利]发光装置有效
申请号: | 201410302849.4 | 申请日: | 2014-06-27 |
公开(公告)号: | CN104282719B | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 工藤泰之;山田二郎;甚田诚一郎;松波成行 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H05B33/12 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
1.一种发光装置,包括:
基板,所述基板包括多个发光元件,其中,所述发光元件包括第一电极、第二电极以及具有有机层的发光单元,并且其中,所述有机层包括发光层,
其中,所述基板进一步包括被配置为漫射从至少一个所述发光元件发射的光的多个第一构件和位于所述第一构件之间的第二构件,
并且其中,所述第二构件包括光吸收层,所述光吸收层形成在所述基板和所述第二电极之间。
2.根据权利要求1所述的发光装置,
其中,在至少一个所述第一构件中漫射的光的至少一部分在所述第一构件与所述第二构件之间的界面上被反射。
3.根据权利要求1所述的发光装置,
其中,光反射膜形成在至少一个所述第一构件与所述第二构件之间的界面上。
4.根据权利要求1所述的发光装置,
其中,至少一个所述第一构件包括具有折射率为n1的第一材料,其中,所述第二构件包括具有平均折射率为n2-ave的第二材料,并且其中,1.1≤n1≤1.8且n1-n2-ave≥0.2。
5.根据权利要求1所述的发光装置,
进一步包括光反射构件,所述光反射构件反射从所述发光元件发射并且穿过所述第一构件的光的至少一部分。
6.根据权利要求1所述的发光装置,进一步包括:
位于所述第一构件和所述第二构件上的保护膜和密封材料层,其中,所述保护膜包括具有折射率为n3的保护膜材料,其中,所述密封材料层包括具有折射率为n4的密封材料,并且其中,|n3-n4|≤0.3。
7.根据权利要求1所述的发光装置,
其中,所述光吸收层被设置在所述第二构件的下部中。
8.根据权利要求1所述的发光装置,
其中,所述光吸收层被设置在所述第二构件的中部中。
9.根据权利要求1所述的发光装置,
其中,所述光吸收层被设置在所述第二构件的顶部中。
10.根据权利要求1所述的发光装置,
其中,所述光吸收层占据所述第二构件的整个部分。
11.根据权利要求1所述的发光装置,进一步包括滤色器。
12.根据权利要求1所述的发光装置,
其中,所述发光元件与所述第一构件彼此接触。
13.根据权利要求1所述的发光装置,
其中,来自所述发光元件的光通过所述基板被发射到所述发光装置的外部。
14.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述基板包括:第一基板,所述第一基板包括所述发光元件、所述第一构件和所述第二构件;以及第二基板,所述第二基板面向所述第一基板。
15.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述光吸收层在所述第二构件的外部部分的附近。
16.一种包括发光装置的电子装置,所述发光装置包括基板,所述基板包括多个发光元件,其中,所述发光元件包括第一电极、第二电极以及具有有机层的发光单元,并且其中,所述有机层包括发光层,其中,所述基板进一步包括多个第一构件和位于所述第一构件之间的第二构件,其中,所述第一构件被配置为漫射和发射光,并且其中,所述第二构件包括光吸收层,所述光吸收层形成在所述基板和所述第二电极之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的