[发明专利]管芯-管芯感应通信装置及方法有效
| 申请号: | 201410302817.4 | 申请日: | 2014-06-27 |
| 公开(公告)号: | CN104253104B | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
| 发明(设计)人: | 约翰·M·皮戈特;弗雷德·T·布劳希勒;达拉尔·R·弗里尔;维韦克·古普塔;兰德尔·C·格雷;诺曼·L·欧文斯;卡尔·E·达科斯塔 | 申请(专利权)人: | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/31;H01L25/065 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 陈依虹;刘光明 |
| 地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 管芯 感应 通信 装置 方法 | ||
1.一种装置,包括:
第一IC管芯,所述第一IC管芯具有邻近所述第一IC管芯的第一表面的第一线圈;
第二IC管芯,所述第二IC管芯具有邻近所述第二IC管芯的第一表面的第二线圈,其中所述第一IC管芯和所述第二IC管芯被布置在所述装置中,使得所述第一IC管芯的所述第一表面面对所述第二IC管芯的所述第一表面,并且所述第一线圈和所述第二线圈跨过所述第一IC管芯和所述第二IC管芯之间的间隙彼此对齐,并且其中所述第一IC管芯和所述第二IC管芯彼此电流隔离,其中所述第一IC管芯还包括被暴露在所述第一IC管芯的所述第一表面的多个第一焊盘,其中所述多个第一焊盘电耦合于所述第一线圈;以及
所述第二IC管芯还包括半导体衬底、延伸通过所述半导体衬底的多个导电硅通孔、以及多个第二焊盘,所述多个第二焊盘电耦合于所述多个导电硅通孔并被暴露在所述IC管芯的与所述第二IC管芯的所述第一表面相对的第二表面;以及
所述间隙内的介电结构,所述介电结构被直接放置在所述第一线圈和第二线圈之间;其中所述介电结构比第一IC管芯窄比第二IC管芯宽,从而介电结构延伸到第二IC管芯边缘以外。
2.根据权利要求1所述的装置,其中:
所述装置还包括:
耦合于所述第一焊盘的第一电连接;以及
耦合于所述第二焊盘的第二电连接,以及
其中所述第一电连接和所述第二电连接选自引线接合、焊接凸点、螺柱凸点以及直接管芯附着结构。
3.根据权利要求2所述的装置,还包括:
多个封装引线,其中所述第一电连接耦合在所述第一焊盘和第一组所述封装引线之间,以及所述第二电连接耦合在所述第二焊盘和第二组所述封装引线之间。
4.根据权利要求3所述的装置,还包括:
支撑结构,其中所述第一IC管芯的第二表面耦合于所述支撑结构,并且其中所述支撑结构和所述多个封装引线形成了引线框的多个部分。
5.根据权利要求1所述的装置,其中:
所述第一线圈由被一个或多个第一介电层分离的多个第一金属层内的多个第一图案化的导体组成;以及
所述第二线圈由被一个或多个第二介电层分离的多个第二金属层内的多个第二图案化的导体组成。
6.根据权利要求1所述的装置,其中:
所述第一IC管芯还包括耦合于所述第一线圈的发射器电路;以及
所述第二IC管芯还包括耦合于所述第二线圈的接收器电路。
7.根据权利要求1所述的装置,其中所述介电结构包括以下中的一个或多个:选自聚酰亚胺、聚四氟乙烯和苯并环丁烯的材料;覆盖所述第一线圈的介电层的一部分;覆盖所述第二线圈的介电层的一部分;以及气隙。
8.根据权利要求1所述的装置,其中所述介电结构包括厚度在25微米至400微米的范围中的介电材料。
9.根据权利要求1所述的装置,其中所述介电结构具有第一表面和相对于第一表面的第二表面,其中所述介电结构的所述第一表面耦合于所述第一IC管芯的所述第一表面,所述介电结构的所述第二表面耦合于所述第二IC管芯的所述第一表面,并且所述介电结构延伸到所述第一IC芯和所述第二IC管芯的重叠边缘以外。
10.根据权利要求1所述的装置,其中:
所述第一IC管芯还包括邻近所述第一IC管芯的所述第一表面的一个或多个附加第一线圈;
所述第二IC管芯还包括邻近所述第二IC管芯的所述第一表面的一个或多个附加第二线圈,其中所述附加第一线圈的每一个跨过所述间隙与所述附加第二线圈中的对应的一个对齐;以及
所述介电结构被直接放置在所述附加第一线圈和所述附加第二线圈的对齐对之间的所述间隙内。
11.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一IC管芯、所述第二IC管芯和所述介电结构被一起封装在气腔封装中。
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