[发明专利]一种测量装置及镀膜设备

权利要求书

1.一种测量装置，用于测量一待镀膜模组上产生的膜层的厚度，其特征在于，所述测量装置包括：

第一石英晶振片，在镀膜过程中一起被镀膜；

第二石英晶振片，和第一石英晶振片相同，在镀膜的过程中被遮挡，不会被镀膜；

激励源产生单元，用于产生并输出交变电流到所述第一石英晶振片和第二石英晶振片；

第一计算模块，用于根据所述第一石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第一响应信号计算频率变化初始值；

第二计算模块，用于根据所述第二石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第二响应信号计算频率变化修正值；

第三计算模块，用于利用所述频率变化修正值修正所述频率变化初始值得到的频率变化目标值计算膜层厚度。

2.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，所述频率变化目标值等于频率变化初始值与频率变化修正值的差值。

3.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，还包括：

一遮挡模块，用于在镀膜过程中遮挡所述第二石英晶振片，使所述第二石英晶振片不会被镀膜。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的测量装置，其特征在于，所述第二石英晶振片的数量为多个，所述第二计算模块具体用于根据每一个第二石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第二响应信号计算第二石英晶振片各自对应的频率变化中间值，并取所有频率变化中间值的平均值作为频率变化修正值。

5.一种镀膜设备，包括一镀膜机，用于向待镀膜模组镀膜，其特征在于，所述镀膜设备还包括一测量装置，所述测量装置包括：

第一石英晶振片，在镀膜过程中一起被镀膜；

第二石英晶振片，和第一石英晶振片相同，在镀膜的过程中被遮挡，不会被镀膜；

激励源产生单元，用于产生并输出交变电流到所述第一石英晶振片和第二石英晶振片；

第一计算模块，用于根据所述第一石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第一响应信号计算频率变化初始值；

第二计算模块，用于根据所述第二石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第二响应信号计算频率变化修正值；

第三计算模块，用于利用所述频率变化修正值修正所述频率变化初始值得到的频率变化目标值计算膜层厚度。

6.根据权利要求5所述的镀膜设备，其特征在于，所述频率变化目标值等于频率变化初始值与频率变化修正值的差值。

7.根据权利要求5所述的镀膜设备，其特征在于，还包括：

一遮挡模块，用于在镀膜过程中遮挡所述第二石英晶振片，使所述第二石英晶振片不会被镀膜。

8.根据权利要求7所述的镀膜设备，其特征在于，所述第一石英晶振片和第二石英晶振片环形排列，所述遮挡模块具体为一设置有一通孔的可旋转遮挡片，所述遮挡片能够通过旋转使得所述通孔位于不同石英晶振片的上方。

9.根据权利要求5所述的镀膜设备，其特征在于，还包括：

控制器，用于根据所述膜层厚度实际值控制镀膜机的镀膜厚度。

10.根据权利要求5所述的镀膜设备，其特征在于，所述镀膜机上设置有一具有一吸附面的用于吸附所述待镀膜模组的真空吸附装置，所述第一石英晶振片、第二石英晶振片安置高度与所述待镀膜模组相同。

11.根据权利要求5-10中任意一项所述的镀膜设备，其特征在于，所述第二石英晶振片的数量为多个，所述第二计算模块具体用于根据每一个第二石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第二响应信号计算第二石英晶振片各自对应的频率变化中间值，并取所有频率变化中间值的平均值作为频率变化修正值。