[发明专利]存储器的测试装置和测试方法

说明书

一种存储器的测试装置和测试方法，所述存储器包括存储单元和与所述存储单元连接的位线，所述存储器的测试装置包括：比较单元，所述比较单元和位线一一对应连接，所述比较单元包括至少两个电压比较器，所述电压比较器的第一输入端连接位线，所述电压比较器的第二输入端适于输入基准电压，位于同一个比较单元中的电压比较器的第二输入端输入的基准电压值不相同。

技术领域

本发明涉及电学领域，尤其涉及一种存储器的测试装置和测试方法。

背景技术

在对静态随机存储器(Static RAM，SRAM)进行读取时，SRAM的存储单元能够提供的电流大小表征了对这个存储单元的读取的难易程度。SRAM的存储单元能够提供的电流越大，则读取成功的可能性越高，反之读取就越容易失败。

在SRAM的测试电路中，测试存储单元的电流大小并对存储单元的电流大小做出统计，能够帮助SRAM芯片的设计者和生产者快速判断工艺制程的好坏，进而对生产工艺或设计做出改进。

现今，专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)设计中SRAM的容量以兆比特计，即一颗SRAM芯片中可能存在几百甚至上千万的存储单元。由于外部测试设备速度较慢，利用外部设备对所有存储单元的电流进行测试并做出统计将耗费相当长的时间，效率极低，且不具有实际可行性。而如果随机挑选若干存储单元进行测试，则统计的结果将存在很大的误差。

发明内容

本发明解决的问题是现有存储器的测试方法效率较低或误差较大。

为解决上述问题，本发明提供一种存储器的测试装置，所述存储器包括存储单元和与所述存储单元连接的位线，所述存储器的测试装置还包括：比较单元，所述比较单元和位线一一对应连接，所述比较单元包括至少两个电压比较器，所述电压比较器的第一输入端连接位线，所述电压比较器的第二输入端适于输入基准电压，位于同一个比较单元中的电压比较器的第二输入端输入的基准电压值不相同。

可选的，所述电压比较器为电压感应放大器。

可选的，所述存储器的测试装置还包括：编码器，所述编码器与所述比较单元一一对应连接，所述比较单元中的电压比较器的输出端连接所述编码器的输入端。

可选的，所述比较单元的数量为至少两个，所述至少两个比较单元的结构相同。

本发明还提供一种存储器的测试方法，所述存储器包括存储单元和与所述存储单元连接的位线，所述存储器的测试方法包括：

激活需测试的存储单元，同一次激活的存储单元连接不同的位线；

存储单元被激活后，获得被激活的存储单元在预定时刻对应的第一数字编码，所述第一数字编码表征在预定时刻所述被激活的存储单元连接的位线上的电压值与至少两个基准电压值的比较结果，所述至少两个基准电压值不相同；

测量与不同的第一数字编码对应的存储单元连接的位线上的电流值以获得存储单元和电流值的对应关系。

可选的，所述存储器的测试方法还包括：将第一数字编码转换为第二数字编码，所述第二数字编码的位数小于第一数字编码。

可选的，所述存储器的测试方法还包括：基于所述存储单元和电流值的对应关系计算全部需测试的存储单元对应的电流值的平均值及方差。

可选的，所述存储器的测试方法还包括：基于所述存储单元和电流值的对应关系获得不同电流值对应的需测试的存储单元数量。

可选的，获得全部需测试的存储单元对应的第一数字编码之后，执行所述测量与不同的第一数字编码对应的存储单元连接的位线上的电流值以获得存储单元和电流值的对应关系的步骤。