[发明专利]互连结构的形成方法

权利要求书

1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成介质层；

在所述介质层上形成碳氧化硅层；

在所述碳氧化硅层上形成金属掩模材料层；

刻蚀所述金属掩模材料层和碳氧化硅层以形成硬掩模；

以所述硬掩模为掩模刻蚀所述介质层，在所述介质层内形成通孔；

在所述通孔内填充导电材料，以形成导电插塞；

形成碳氧化硅层的方法为化学气相沉积法，所述化学气相沉积法以一氧化碳、硅烷气体、一氧化二氮和水蒸气作为反应气体，所述硅烷和一氧化碳的流量比为1:1～1:3，所述硅烷与一氧化二氮的流量比为1:0.1～1:3，所述硅烷与水蒸气的流量比为1:0.1～1:3。

2.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述硅烷的流量为50～3000sccm，一氧化碳的流量为50～3000sccm，气压为0.5～10torr，功率为50～5000W。

3.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述化学气相沉积法以二氧化碳和硅烷气体作为反应气体，所述硅烷和二氧化碳的流量比为1:1～1:2。

4.如权利要求3所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述硅烷的流量为50～3000sccm，二氧化碳的流量为50～3000sccm，气压为0.5～10torr，功率为50～5000W。

5.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述化学气相沉积法以一氧化碳、二氧化碳和硅烷气体作为反应气体，所述一氧化碳和二氧化碳的总流量与硅烷气体的流量的比为3:1～1:1。

6.如权利要求5所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述硅烷的流量为50～3000sccm，一氧化碳和二氧化碳的总流量为50～3000sccm，气压为0.5～10torr，功率为50～5000W。

7.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述碳氧化硅层的厚度为

8.如权利要求1～7任一项所述的互连结构的形成方法，其特征在于，还包括；通入辅助气体，所述辅助气体与硅烷气体的流量比为1:3～1:1。

9.如权利要求8所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述辅助气体的流量为50～3000sccm。

10.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述金属掩模材料层和碳氧化硅层的方法为干法刻蚀，所述干法刻蚀以四氟化碳和氢气的混合气体为刻蚀剂。

11.如权利要求10所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述四氟化碳的流量为100～10000sccn，氢气的流量为100～10000sccm，气压为0.01～10torr，功率为100～5000W。

12.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，在所述介质层内形成通孔后，在所述通孔内填充导电材料之前，还包括湿法清洗步骤。

13.如权利要求12所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述湿法清洗以稀释的氢氟酸作为清洗剂。

14.如权利要求12所述的互连结构的形成方法，其特征在于，在所述清洗步骤后，在所述通孔内填充导电材料之前，还包括步骤：在所述通孔的内壁形成扩散阻挡层。