[发明专利]一种半导体芯片的蚀刻方法在审
| 申请号： | 201410300886.1 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN104037077A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 刘振鑫;陈彦奇;孟涛涛 | 申请（专利权）人： | 宜特科技（昆山）电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/263 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;杨晞 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 蚀刻 方法 | ||
1.一种半导体芯片的蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)对半导体芯片的正面进行激光蚀刻；
(2)对经激光蚀刻后的半导体芯片正面的钝化层使用HF溶液进行蚀刻，直至半导体芯片外露出金属层；
(3)对所述金属层使用强碱溶液进行蚀刻，直至半导体芯片外露出阻挡层；
(4)对所述阻挡层使用H2O2和NH4OH的混合溶液进行蚀刻，直至半导体芯片外露出氧化层；
(5)对所述氧化层使用该HF溶液进行充分蚀刻。
2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述激光蚀刻的功率为6W～20W，波长为1020～1060nm。
3.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述激光蚀刻的速率为8～12μm/s。
4.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述HF溶液的质量分数为44～48％。
5.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述强碱溶液的质量分数为10～15％。
6.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述H2O2和NH4OH的混合溶液中H2O2和NH4OH的质量比为1：(1～1.2)。
7.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述钝化层的主要材质为Si3N4与SiO2。
8.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述金属层的主要材质为Al。
9.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述阻挡层的主要材质为W和TiN。
10.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，所述氧化层的主要材质为SiO2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
