[发明专利]柔性石墨纸衬底沉积制备柔性多晶硅薄膜的方法

权利要求书

1.柔性石墨纸衬底沉积制备柔性多晶硅薄膜的方法的制作工艺，其特征是，包括以下步骤：

(1)选用厚度为20-50微米的柔性石墨纸作为衬底，采用磁控溅射法和快速热退火法在柔性石墨纸衬底上制备柔性多晶硅薄膜籽晶层；

(2)利用磁控溅射法或化学气相沉积法在制得的柔性多晶硅薄膜籽晶层上进行外延沉积，得到外延多晶硅薄膜，并控制多晶硅薄膜的厚度在20-50微米之间；

(3)对外延沉积后的多晶硅薄膜进行热退火，使得柔性石墨纸衬底同多晶硅薄膜结合为整体，制备出柔性多晶硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的柔性石墨纸衬底沉积制备柔性多晶硅薄膜的方法的制作工艺，其特征是，步骤(1)中，柔性石墨纸衬底需进行间隔为2毫米的均匀扎孔处理，防止石墨纸在高温下鼓泡胀气、发生变形。同时在制备柔性多晶硅薄膜籽晶层前需对石墨纸衬底进行预热，将石墨纸中所含的杂质挥发掉，预热温度850℃，预热时间为2小时。

3.根据权利要求1所述的柔性石墨纸衬底沉积制备柔性多晶硅薄膜的方法的制作工艺，其特征是，步骤(1)中，磁控溅射温度为850℃，快速热退火温度为1000℃。

4.根据权利要求1所述的柔性石墨纸衬底沉积制备柔性多晶硅薄膜的方法的制作工艺，其特征是，步骤(3)中，热退火温度为800-1200℃。