[发明专利]一种金属件的真空镀膜方法

权利要求书

1.一种金属件的真空镀膜方法，其特征在于：将金属件放置于真空室内，采用真空镀膜方法在金属件表面上沉积一层金属薄膜。

2.根据权利要求1所述的金属件的真空镀膜方法，其特征在于,所述真空镀膜方法，按以下步骤进行：

2-1)抽真空：启动抽真空系统，控制真空室的真空度达到3×10^-3Pa-5×10^-3Pa；

2-2)金属件预热：开启加热器将真空室内的金属件加热至70℃以上，使得金属件表面的金属原子结构发生改变，使得金属原子处于活跃状态；

2-3)向真空室内通入惰性气体，气压控制在0.5-2Pa之间；

2-4)采用如下两种方式中的任意一种释放金属离子：

a、在真空室内设置金属靶材，在金属靶材上施加大于200V的负电压，使得金属靶材释放出金属离子；

b、在真空室内设置金属膜料，采用电子枪对着金属膜料射击，使得金属膜料释放出金属离子；电子枪的输出功率为4-30KW；

2-5)金属离子被释放出的同时放出能量，发生辉光放电，产生等离子体；等离子体内的金属离子在电场的作用下向金属件加速，与金属件表面冲撞后，金属件上的金属离子被溅出来，使得等离子体内的金属离子替换掉金属件上被溅出的金属离子、并沉积于金属件表面上形成一层金属薄膜。

3.根据权利要求2所述的金属件的真空镀膜方法，其特征在于,在步骤2)中，所述金属件为铝材料，所述金属靶材为铝材料；镀膜工艺参数如下：真空度为3×10^-3Pa-5×10^-3Pa,金属件预热温度为70-150℃，施加于金属靶材上的负电压为200-1000V,沉积时间为50-120分钟,金属薄膜的厚度为50μm-80μm。

4.根据权利要求2所述的金属件的真空镀膜方法，其特征在于,在步骤2)中，所述金属件为铝材料，所述金属膜料为铝材料；镀膜工艺参数如下：真空度为3×10^-3Pa-5×10^-3Pa,金属件预热温度为70-150℃，施加于金属膜料的电子枪的输出功率为4-30KW,沉积时间为50-120分钟,金属薄膜的厚度为50μm-80μm。

5.根据权利要求2所述的金属件的真空镀膜方法，其特征在于,在步骤2)中，所述惰性气体为氦、氖、氩、氪、氙中的任意一种。