[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

模塑料；

导电插塞，位于所述模塑料中；

覆盖件，位于所述导电插塞和所述模塑料之间的顶部汇合点上方；以及

介电质，位于所述覆盖件上和所述模塑料上方；

其中，所述覆盖件、所述导电插塞和所述模塑料形成三重界面，并且所述覆盖件将所述介电质与所述三重界面分离。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述覆盖件包括延伸部，所述延伸部具有沿着所述模塑料的顶面延伸的长度。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述长度至少大于或等于2.5μm。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述覆盖件是重分布层(RDL)。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述覆盖件是导电的。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述覆盖件是不导电的。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：半导体芯片和第一介电质，其中，所述第一介电质位于所述半导体芯片上。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述覆盖件是环形件。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中，所述覆盖件包括内缘和外缘，并且所述外缘和所述内缘之间的差值大于5μm。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：位于所述覆盖件内部的腔体。

11.一种半导体3D封装件，包括：

模塑料；

填充的通孔，位于所述模塑料中；

介电质，位于所述模塑料上；以及

分隔件，位于所述模塑料上，其中，所述分隔件、所述填充的通孔和所述模塑料形成三重界面，并且所述分隔件将所述介电质与所述三重界面分离。

12.根据权利要求11所述的半导体3D封装件，其中，所述分隔件具有CTE，并且所述分隔件的CTE介于所述填充的通孔的CTE和所述模塑料的CTE之间。

13.根据权利要求11所述的半导体3D封装件，其中，所述介电质包括至少两种不同的材料层。

14.根据权利要求11所述的半导体3D封装件，其中，所述分隔件沿着所述填充的通孔的轴向延伸。

15.根据权利要求11所述的半导体3D封装件，其中，所述分隔件是环形件。

16.根据权利要求15所述的半导体3D封装件，其中，所述分隔件包括内缘和外缘，并且所述外缘宽度和所述内缘宽度之间的差值大于5μm。

17.根据权利要求11所述的半导体3D封装件，还包括：突起部分，其中，所述突起部分位于所述填充的通孔上和所述分隔件下方。

18.一种制造半导体结构的方法，包括：

在衬底上形成导电插塞；

用模塑料环绕所述导电插塞的侧壁；以及

在顶部汇合点上方设置分隔件，其中，所述顶部汇合点位于所述模塑料和所述导电插塞之间；

在所述模塑料上形成介电质；

其中，所述分隔件、所述导电插塞和所述模塑料形成三重界面，并且所述分隔件将所述介电质与所述三重界面分离。

19.根据权利要求18所述的方法，还包括：图案化所述介电质以在所述介电质中包括贯通结构。