[发明专利]光学薄膜、光学薄膜的制造方法、偏振板、显示面板及显示器有效

专利信息
申请号: 201410299390.7 申请日: 2010-12-22
公开(公告)号: CN104101915A 公开(公告)日: 2014-10-15
发明(设计)人: 村上茂树;唯木隆伸 申请(专利权)人: 大日本印刷株式会社
主分类号: G02B1/00 分类号: G02B1/00;G02B5/30;B05C5/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王彦慧
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光学薄膜 制造 方法 偏振 显示 面板 显示器
【说明书】:

技术领域

本发明涉及光学薄膜、其制造方法、具备该光学薄膜的偏振板、显示面板及显示器。

背景技术

若电视机和个人计算机的显示器的显示面积存静电,则会附着尘埃而导致辨识性下降。为了防止此情况,采用使显示器所使用的透明表面薄膜具有某程度的导电性,以使静电逸散的方法。

为了具有导电性,有在表面薄膜所涂布的硬涂层内,添加金属氧化物的微粒的方法(形成电子电导通道);添加表面活性剂是的抗静电剂的方法(形成离子电导通道);以及在表面薄膜本身用金属和导电聚合物设置网孔状的导电通道的方法等手段。

但是,在这些方法中,分别具有问题。即,在表面薄膜本身设置网孔状电导通道的方法,图像的辨识性也相应恶化。另外,添加金属氧化物微粒的方法会产生如下的问题:随着粒子种类和含量的不同,导电性也存在巨大差异,而且,粒子本身也会造成辨识性恶化。

作为解决此问题的方法,也有经由溅射制作透明导电膜的方法,但必须逐一抽真空,其现状为耗费制造成本。

另外,添加表面活性剂是的抗静电剂的方法是通过离子使静电逸散的方法,但为了生成离子,必须有水(空气中的水分)。但是,在干燥的环境下,即水分少的状况下,由于不会生成离子,故具有导电显著下降的问题。

于是,本案申请人提出了作为无上述问题的抗静电剂而使用了“离子液体”的申请(参照专利文献1)。离子液体包含阳离子和阴离子,于常温下为液体,具有经常发生离子的特征。因此,通过将此材料组装至硬涂层,可经常发生离子,并且可凭借离子除去静电。

另外,为了使显示器的显示面等在操作时不会损伤,故要求透明表面薄膜为高硬度(硬涂性)。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2008-274266号公报

发明内容

(发明所要解决的问题)

所述专利文献1所公开的组合物通过涂布至基材,可用于赋予抗静电性及硬涂性。

但是,已知若将离子液体180混入形成硬涂层的硬涂液并涂布,虽显示抗静电性能,但硬涂层170内的离子液体180会集结存在于硬涂层170的表层(图8的左图)。

因此,若将如此处理制作的硬涂层170用附着溶剂的碎布等擦拭,在用溶剂将膜(硬涂层170)湿润后拭去,则如图8所示,在层170表面浮起、凝集的离子液体180被除去,新得知有无法取得充分的抗静电性能(图8的右图)的问题。

作为对于所述问题的对策,可考虑在混入离子液体180的硬涂层170上进一步将具有覆盖层作用的硬涂层190逐次进行涂布予以层叠(图9的下图)。

但是,于此方法中,经由涂布此覆盖层190时所使用的溶剂,在下层硬涂层170表层集结的离子液体180会不均匀扩散、溶出于硬涂层170上层设置的覆盖层190,其结果,如图9所示,在覆盖层190表面产生抗静电剂的浓度不均匀化,并且于抗静电性能方面产生不均的问题。

本发明是为了解决上述问题而完成的,其目的在于提供硬涂层具有硬度(硬涂性),且抗静电剂难以被覆盖层的溶剂或附着溶剂的碎布等从硬涂层除去的性质(以下,称为耐溶剂擦拭性),且可长期持续抗静电性能的光学薄膜、其制造方法、具备该光学薄膜的偏振板、显示面板及显示器。

(解决问题的方法)

本发明的主要内容如下。

1.一种光学薄膜,其是在透光性基材的一侧设置膜厚1~40μm的硬涂层的光学薄膜,其特征在于,在所述硬涂层中包含含有阳离子和阴离子的离子液体;在所述硬涂层的膜厚方向上,在从所述硬涂层的所述透光性基材相反侧的界面起算的50~700nm的区域中,存在有从所述界面起至700nm为止的区域中存在的所述离子液体的存在量的峰值。

2.如所述1中记载的光学薄膜,其中,所述峰值的半值宽度为25~500nm。

3.如所述1或2中记载的光学薄膜,其中,相对于所述从界面起至700nm为止的区域中存在的所述离子液体的存在量,从所述界面起至50nm为止的区域中存在的所述离子液体的存在量的比例为50%以下。

4.如所述1至3中任一项记载的光学薄膜,其中,所述阳离子为从由季铵系阳离子、季鏻系阳离子、咪唑鎓系阳离子、吡啶鎓系阳离子及吡咯烷鎓系阳离子所构成的组中选出的1种以上的阳离子。

5.如所述1至4中任一项记载的光学薄膜,其中,

所述硬涂层的表面电阻值为1.0×1013Ω/□以下。

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