[发明专利]一种具有亚阈值电流补偿的电流模带隙基准电压源

说明书

技术领域

本发明涉及带隙基准电压源，尤其涉及一种具有亚阈值电流补偿的电流模带隙基准电压源，属于集成电路技术领域，

背景技术

带隙基准电压源在模拟集成电路或数模混合信号设计领域有着广泛的应用，如数模转换器(DAC)、模数转换器(ADC)、直流-直流电压变换器(DC-DC)、交流-直流电压变换器(AC-DC)、线性稳压器、开关稳压器、温度传感器、充电电池芯片电路等等，它为系统提供电压基准和电流基准，对系统性能起着至关重要的作用。集成电路的不断发展，尤其是低压应用例如PDAs、照相机、笔记本等的需求不断增大，使得对于基准电压的精度及稳定性的要求也越来越高。

传统的电压模带隙基准电压源的结构如图1所示，它利用具有负温度系数的三极管Q6发射结电压V_BE(非线性)和具有正温度系数的三极管Q4和Q5发射结电压之差ΔV_BE(线性)进行线性叠加，从而得到一阶补偿的基准电压。

三极管发射结电压V_BE的表达式为：

VBE(T)=VG0(1-TT0)+VBE0(TT0)+γkTqln(T0T)+kTqln(JCJC0)]]>    式1

其中，V_G0是半导体材料从参考温度T₀外推到绝对零度时得到的带隙基准电压，γ是与工艺相关的常数，J_C是发射极电流密度，J_C0是温度为T₀时的发射极电流密度。

发射结电压差ΔV_BE的表达式为：

ΔVBE(T)=VTln(I4I5·S5S4)]]>    式2