[发明专利]晶片封装体

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包含：

一半导体晶片，具有至少一导电垫、一内连线结构以及一电子元件，该导电垫设置于该半导体晶片的一表面，该内连线结构与该电子元件设置于该半导体晶片内部，且该电子元件通过该内连线结构电性连接该导电垫；

一绝缘层，设置于该半导体晶片的该表面上，其中该绝缘层具有至少一第一开口以暴露出部分该导电垫；

一重布局金属层，设置于该绝缘层上且具有对应该导电垫的至少一重布局金属线路，该重布局金属线路通过该第一开口与该导电垫连接；以及

至少一焊接垫，配置于该绝缘层上且位于该半导体晶片的一侧，

其中，该重布局金属线路延伸至该焊接垫，使配置于该半导体晶片的该表面上的该导电垫电性连接于该侧的该焊接垫。

2.根据权利要求1的晶片封装体，其特征在于，进一步包含一第一钝化层，该第一钝化层覆盖该绝缘层、该重布局金属层以及该焊接垫，其中该第一钝化层具有至少一第二开口以暴露出部分该焊接垫。

3.根据权利要求2的晶片封装体，其特征在于，该第一钝化层包含氧化硅。

4.根据权利要求2的晶片封装体，其特征在于，该重布局金属线路由至少二直线部以及至少一转折部所组成，其中该二直线部沿不同方向延伸，该转折部连接该二直线部，该二直线部的线宽小于该转折部的线宽。

5.根据权利要求4的晶片封装体，其特征在于，该至少二直线部的线宽是30～35微米，该至少一转折部的线宽是80～85微米。

6.根据权利要求2的晶片封装体，其特征在于，进一步包含一第二钝化层，该第二钝化层配置于该第一钝化层上，其中该第二钝化层亦具有该第二开口以暴露出部分该焊接垫。

7.根据权利要求6的晶片封装体，其特征在于，该第一钝化层包含氧化硅，该第二钝化层包含氮化硅。

8.根据权利要求6的晶片封装体，其特征在于，该重布局金属线路由至少二直线部以及至少一转折部所组成，其中该至少二直线部沿不同方向延伸，该至少一转折部连接该至少二直线部，该至少二直线部的线宽小于该至少一转折部的线宽。

9.根据权利要求8的晶片封装体，其特征在于，该至少二直线部的线宽是30～35微米，该至少一转折部的线宽是80～85微米。

10.根据权利要求7的晶片封装体，其特征在于，进一步包含一第一焊点底层金属，该第一焊点底层金属配置于该第二开口内。

11.根据权利要求10的晶片封装体，其特征在于，该第一焊点底层金属包含：

一镍金属层，配置于该焊接垫上；

一钯金属层，配置于该镍金属层上；以及

一金金属层，配置于该钯金属层上。

12.根据权利要求11的晶片封装体，其特征在于，该重布局金属线路由至少二直线部以及至少一转折部所组成，其中该至少二直线部沿不同方向延伸，该至少一转折部连接该至少二直线部，该至少二直线部的线宽小于该至少一转折部的线宽。

13.根据权利要求12的晶片封装体，其特征在于，该至少二直线部的线宽是30～35微米，该至少一转折部的线宽是80～85微米。

14.根据权利要求1的晶片封装体，其特征在于，进一步包含一第二焊点底层金属，该第二焊点底层金属完整覆盖该焊接垫。

15.根据权利要求14的晶片封装体，其特征在于，该第二焊点底层金属包含：

一镍金属层，完整覆盖该焊接垫；

一钯金属层，完整覆盖该镍金属层；以及

一金金属层，完整覆盖该钯金属层上。

16.根据权利要求14的晶片封装体，其特征在于，该重布局金属线路由至少二直线部以及至少一转折部所组成，其中该二直线部沿不同方向延伸，该转折部连接该二直线部，该二直线部的线宽小于该转折部的线宽。

17.根据权利要求16的晶片封装体，其特征在于，该二直线部的线宽是30～35微米，该转折部的线宽是80～85微米。

18.根据权利要求14的晶片封装体，其特征在于，该第二焊点底层金属，该第二焊点底层金属完整覆盖该重布局金属线路。