[发明专利]一种原位生长量子点光学膜的制备方法

说明书

技术领域

本发明属于光电材料与器件领域，具体涉及一种原位生长量子点光学膜的制备方法。

背景技术

随着科技的发展和社会的进步，人们对于信息交流和传递等方面的依赖程度日益增加。而显示器件作为信息交换和传递的主要载体和物质基础，现已成为众多从事信息光电研究科学家争相抢占的热点和高地。量子点光致发光光学薄膜器件，作为一种最有可能实现实用化的显示器件，在信息交流和传递等领域起着至关重要的作用。然而，截至目前为止，现有量子点光致发光光学薄膜多为两步法制备，即先采用胶体化学的方法制备胶体量子点，然后将量子点分散到有机聚合物薄膜中从而形成相应的量子点光致发光光学薄膜，它本身是一种基于溶胶凝胶和有机无机半导体复合工艺相结合技术而制备的光致发光器件。这种传统的基于量子点制备和有机无机复合成膜两步法存在量子点粒径控制能力差、复合膜中量子点分散性差而容易团聚等问题。随着人们对于图像质量和画质要求的提高，对量子点光致发光光学薄膜提出了更高的要求，采用传统的基于量子点制备和有机无机复合成膜两步法制备的量子点光致发光光学薄膜已难以满足当今信息社会对能产生高品质、高质量显示图像的量子点光致发光光学薄膜的需求。

近年来，为了改善基于传统的基于量子点制备和有机无机复合成膜两步法制备的量子点光致发光光学薄膜中量子点粒径可控性差和量子点的分散性差等问题，通常的做法是通过控制量子点制备过程中反应时间来控制所制备的量子点的粒径，通过选择表面活性剂种类来减缓量子点之间团聚，从而提高其在复合膜中的分散性。但是目前粒径控制和分散性问题仍然阻碍着量子点光致发光薄膜性能的进一步提升。我们利用溶胶-凝胶和旋涂相结合工艺技术，原位生长出具有高分散性量子点有机膜层作为光致发光层，最终制备出新型原位生长高分散性量子点光学膜。这种新型原位生长高分散性量子点光学膜具有新颖，制作成本低，制备工艺简单、量子点粒径可控性高、分散性好，成为最有可能制备出粒径可控、分散性好的实用化量子点光致发光光学薄膜的有效方法。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术的不足和缺陷，提供一种原位生长量子点光学膜的制备方法。该制备方法是基于溶胶-凝胶和旋涂相结合工艺技术，在ITO玻璃衬底上原位生长出具有高分散性量子点有机膜层，并以此作为光致发光层，随后再通过有机物旋涂实现对量子点沟道的有效封装和保护，最终制备出新型原位生长高分散性量子点光学膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单。此外，由于采用原位生长技术，因而光致发光层中量子点粒径精确可控、分散性良好，该量子点光学膜制备工艺中可充分利用有机物对量子点生长的阻隔和调控作用，实现对量子点粒径有效控制和量子点在光致发光层中高分散性分布，进而有效提高其量子点光学膜的光致发光性能，因此，在新型光电显示器件中将具有非常重要的实用价值。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种原位生长量子点光学膜的制备方法，利用溶胶-凝胶和旋涂工艺技术，制备出以ITO玻璃（Indium Tin Oxides，氧化铟锡）为衬底，以原位生长具有高分散性量子点有机膜层作为光致发光层、再通过有机物旋涂、封装、隔离工艺制备出新型原位生长高分散性量子点光学膜。

所述的制备方法具体包括以下步骤：

（1）前驱体溶液的配制：分别配制聚酰胺酸溶液、Na₂SeSO₃溶液、Cd(CH₂COO)₂溶液、N(CH₂COONa)₃溶液；然后将Cd(CH₂COO)₂溶液、N(CH₂COONa)₃溶液与Na₂SeSO₃溶液混合，搅拌均匀，再缓慢加入聚酰胺酸溶液至混合均匀，制得前驱体溶液；