[发明专利]半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

单片管芯；

设置在所述单片管芯中的驱动电路、低侧输出功率器件和高侧输出功率器件；以及

设置在所述单片管芯上方和下方的上电极和下电极，所述下电极电连接到电源地线，

其中所述低侧输出功率器件包括底部源极型横向双重扩散金属氧化物半导体(LDMOS)。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述下电极电连接到所述低侧输出功率器件的源极区。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述高侧输出功率器件包括分离于所述低侧输出功率器件的LDMOS。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括与所述下电极直接接触的第一引线框。

5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中所述第一引线框电连接到所述电源地线。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括电连接到所述上电极的第二引线框。

7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中所述上电极电连接到所述单片管芯的输入节点和切换节点。

8.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中所述第二引线框通过线接合或带接合连接到所述上电极。

9.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中所述第二引线框通过铜夹连接到所述上电极。

10.根据权利要求9所述的半导体封装件，其中所述铜夹包括彼此不同的两个或更多个铜夹。

11.根据权利要求10所述的半导体封装件，还包括对所述驱动电路、所述器件以及所述上电极和所述下电极进行封装的封装剂。

12.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中所述封装剂对所述半导体封装件进行封装，但不包括所述半导体封装件的底侧。

13.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括构造为将在所述半导体封装件内部生成的热耗散到外部的散热器。

14.一种半导体封装件，包括：

单片管芯；

包括在所述单片管芯中的驱动电路、低侧输出功率器件和高侧输出功率器件；

设置在所述单片管芯上方和下方的上电极和下电极；以及

与所述上电极直接接触的铜夹，

其中所述低侧输出功率器件包括底部源极型横向双重扩散金属氧化物半导体(LDMOS)。

15.根据权利要求14所述的半导体封装件，其中所述上电极电连接到所述低侧输出功率器件的源极区。

16.根据权利要求14所述的半导体封装件，其中所述高侧输出功率器件包括隔离于所述低侧输出功率器件的单片式LDMOS。

17.根据权利要求14所述的半导体封装件，其中所述下电极电连接到所述单片管芯的输入节点和切换节点。

18.根据权利要求14所述的半导体封装件，其中所述铜夹电连接到电源地线。

19.根据权利要求14所述的半导体封装件，其中所述铜夹仅为一个。

20.根据权利要求14所述的半导体封装件，还包括构造为将从所述半导体封装件内部生成的热耗散到外部的散热器，所述散热器设置在所述铜夹的顶部上。