[发明专利]阵列基板制作方法在审

申请号：	201410295139.3	申请日：	2014-06-25
公开（公告）号：	CN104103584A	公开（公告）日：	2014-10-15
发明（设计）人：	刘翔	申请（专利权）人：	京东方科技集团股份有限公司
主分类号：	H01L21/77	分类号：	H01L21/77;H01L29/786
代理公司：	北京路浩知识产权代理有限公司 11002	代理人：	李相雨
地址：	100015 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	阵列制作方法
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板制作方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。

近年来TFT-LCD获得了飞速的发展，其显示性能不断地提升。随着能源的日益紧张，世界人民都在想法设法降低电子产品的功耗，平板显示也不例外，要求不断地降低功耗。各大液晶面板厂商也在通过改善产品设计及工艺不断地降低功耗，以满足能源之星的标准的需求。

金属氧化物TFT是最近几年新兴的技术，开态电流大、迁移率高，均一性好，透明，制作工艺简单，可以更好地满足大尺寸液晶显示器和有源有机电致发光的需求，备受人们的关注。金属氧化物TFT的开态电流是非晶硅TFT的50倍以上，关态电流一般在10^﹣11A到10^﹣12A之间。为了降低液晶显示面板的功耗，在静态画面时采用低刷新频率，可以大幅减少功耗。但是以目前的关态电流(也称：漏电流)在低频下，如1Hz时不能保持加在液晶显示像素的电压，所以必须降低关态电流，使关态电流在10^﹣13以下。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是：如何降低TFT的关态电流，以在低刷新频率下，TFT能够保持加在液晶显示像素的电压。

(二)技术方案

为解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板制作方法，包括如下步骤：

在衬底基板上形成包括隔离层和金属氧化物半导体层的图形；

形成包括栅绝缘层及栅极的图形；

以所述栅极为遮挡对所述金属氧化物半导体层的非栅极对应区域进行掺杂，以形成接触电阻区；

形成包括第一绝缘间隔层及其上的第一过孔和第二过孔的图形，以暴露出用于源极和漏极与接触电阻区连接的区域；

形成包括源极、漏极、第二绝缘间隔层和像素电极的图形。

其中，所述掺杂的离子注入剂量为10¹⁵/cm²～10¹⁶/cm²。

其中，所述掺杂的离子能量为30keV～100keV。