[发明专利]光电探测元件及其制作方法

权利要求书

1.一种光电探测元件，其特征在于包括由第 1 传导类型的半导体材料形成的第 1 导电型半导体层，

与上述第 1 导电型半导体层形成 pn 结，由与上述第 1 传导类型相反的第 2 传导类型的半导体材料形成的第 2 导电型半导体层，

为反射除特定范围波长以外的波长，在上述第 2 导电型半导体层上沉积 TiO2/SiO2 介质膜形成的带通过滤层。

2.根据权利要求 1 所述的光电探测元件，其特征在于上述第 2 导电型半导体层与上述带通过滤层之间具备防止特定范围波长被反射的抗反射层。

3.根据权利要求 2 项所述的光电探测元件，其特征在于上述抗反射层由 SiN 或 Si0₂ 形成。

4.根据权利要求 1 所述的光电探测元件，其特征在于上述特定范围波长为 550~780 nm，上述带通过滤层厚度为 2978 nm。

5.根据权利要求 1 所述的光电探测元件，其特征在于上述特定范围波长为 470~625 nm，上述带通过滤层厚度为 2137 nm。

6.根据权利要求 1 所述的光电探测元件，其特征在于上述特定范围波长为 400~500 nm，上述带通过滤层厚度为 2811 nm。

7.根据权利要求 1 所述的光电探测元件，其特征在于上述特定范围波长为 400~700 nm，上述带通过滤层厚度为 4302 A。

8.根据权利要求 1 所述的光电探测元件，其特征在于上述特定范围波长为 800~900 nm，上述带通过滤层厚度为 4 μm。

9.一种光电探测元件的制作方法，其特征为在于包括由第 1 传导类型的半导体材料形成的第 1 导电型半导体层与在上述第 1 导电型半导体层与由与第 1 传导类型相反的第 2 传导类型的半导体材料形成的第 2 导电型半导体层形成 pn 结的阶段，为反射除特定范围波长以外的波长，在上述第 2 导电型半导体层上沉积 TiO2/SiO2 介质膜形成的带通过滤层的阶段。

10.根据权利要求 9 所述的光电探测元件的制作方法，其特征在于具备：在上述第 2 导电型半导体层与上述带通过滤层之间形成防止特定范围波长被反射的抗反射层的阶段。

11.根据权利要求 10 所述的光电探测元件的制作方法，其特征在于上述抗反射层由 SiN 或 Si0₂ 形成。

12.根据权利要求 9 所述的光电探测元件，其特征在于上述特定范围波长为 550~780 nm，上述带通过滤层厚度为 2978 nm。

13.根据权利要求 9 所述的光电探测元件，其特征在于上述特定范围波长为 470~625 nm，上述带通过滤层厚度为 2137 nm。

14.根据权利要求 9 所述的光电探测元件，其特征在于上述特定范围波长为 400~500 nm，上述带通过滤层厚度为 2811 nm。

15.根据权利要求 9 所述的光电探测元件，其特征在于上述特定范围波长为 400~700 nm，上述带通过滤层厚度为 4302 A。

16.根据权利要求 9 所述的光电探测元件，其特征在于上述特定范围波长为 800~900 nm，上述带通过滤层厚度为 4 μm。