[发明专利]鳍式场效应管的形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面形成有若干分立的鳍部；

采用沉积工艺在所述鳍部侧壁和顶部表面沉积过渡层，所述过渡层的材料中具有与鳍部材料原子相同的原子；

对所述过渡层进行氧化处理，将所述过渡层材料转化为栅介质层材料，在鳍部侧壁和顶部表面形成栅介质层。

2.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述鳍部的材料为硅。

3.如权利要求2所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述过渡层的材料为氮化硅或氮氧化硅。

4.如权利要求3所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述过渡层。

5.如权利要求4所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述过渡层的材料为氮化硅时，所述原子层沉积工艺的工艺参数为：反应气体包括硅源气体和氮源气体，其中，硅源气体为SiH₂Cl₂、SiH₄、SiH₃Cl或S₂H₆，氮源气体为NH₃，硅源气体流量为5sccm至5000sccm，氮源气体流量为5sccm至5000sccm，沉积腔室压强为0.1托至100托，沉积腔室温度为200度至700度。

6.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述过渡层的厚度小于栅介质层的厚度。

7.如权利要求6所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述过渡层的厚度为5埃至40埃，所述栅介质层的厚度为10埃至60埃。

8.如权利要求6所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在对过渡层进行氧化处理的同时，对部分厚度的鳍部进行氧化处理。

9.如权利要求6所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，采用原位水汽生成氧化工艺进行所述氧化处理。

10.如权利要求9所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述原位水汽生成氧化工艺的工艺参数为：反应气体包括H₂，反应气体还包括O₂或N₂O，H₂流量为10sccm至1000sccm，O₂或N₂O流量为20sccm至2000sccm，沉积腔室压强为1托至50托，沉积腔室温度为450度至1100度。

11.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的材料为氧化硅。

12.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，还包括步骤：在所述栅介质层表面形成栅导电层；在所述栅导电层两侧的鳍部内形成掺杂区。

13.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述鳍部的形成步骤包括：提供初始基底；在所述初始基底表面形成图形化的牺牲层；在所述初始基底表面形成紧挨牺牲层的侧墙层；去除所述牺牲层；以所述侧墙层为掩膜刻蚀初始基底形成鳍部，刻蚀后的初始基底为衬底。

14.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，还包括步骤：在相邻鳍部之间的衬底表面形成隔离层，且隔离层顶部表面低于鳍部顶部表面。

15.如权利要求14所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，采用流体化学气相沉积工艺形成所述隔离层。