[发明专利]一种ZnO量子阱微腔结构的激子极化激元激光器件

权利要求书

1.一种ZnO量子阱微腔结构的激子极化激元激光器件，其特征在于，所述ZnO量子阱微腔结构包括ZnO/Zn_1-xMg_xO 单量子阱有源层，位于ZnO/Zn_1-xMg_xO单量子阱有源层下方的多层 Al_1-yGa_yN/Al_yGa_1-yN 分布布拉格反射镜结构层，以及位于ZnO/Zn_1-xMg_xO 单量子阱有源层上方的多层 SiO₂/Si₃N₄ 分布布拉格反射镜结构层，所述ZnO为阱层，所述Zn_1-xMg_xO为势垒层；

所述Al_1-yGa_yN层厚度为38~41nm，Al_yGa_1-yN层厚度为 44~47 nm；

所述有源层中阱层ZnO厚度为4~8nm，势垒层Zn_1-xMg_xO厚度为35~45nm；

所述SiO₂层厚度为40~50nm，Si₃N₄层厚度为60~70nm；

所述x为0.25，所述y为0.8。

2.根据权利要求1所述的一种ZnO量子阱微腔结构的激子极化激元激光器件，其特征在于，所述Al_1-yGa_yN层折射率为2.08~2.47，Al_yGa_1-yN层折射率为 2.08~2.47。

3.根据权利要求1所述的一种ZnO量子阱微腔结构的激子极化激元激光器件，其特征在于，所述有源层中阱层ZnO折射率为2.3~2.5，势垒层Zn_1-xMg_xO折射率为2.2~2.4。

4.根据权利要求1所述的一种ZnO量子阱微腔结构的激子极化激元激光器件，其特征在于，所述SiO₂层折射率为2.0~2.1，Si₃N₄层折射率为1.40~1.50。

5.根据权利要求1~4任一项所述的一种ZnO量子阱微腔结构的激子极化激元激光器件，其特征在于，采用金属有机化学气相沉积法外延30~100周期的Al_1-yGa_yN/Al_yGa_1-yN第一分布布拉格反射镜，在Al_1-yGa_yN/Al_yGa_1-yN第一分布布拉格反射镜上用脉冲激光沉积法生长ZnO/Zn_1-xMg_xO单量子阱，在ZnO/Zn_1-xMg_xO单量子阱上用等离子体增强化学气相沉积法生长10~30周期的SiO₂/Si₃N₄第二分布布拉格反射镜。