[发明专利]一种电压调整器的电路有效
| 申请号: | 201410290251.8 | 申请日: | 2014-06-24 |
| 公开(公告)号: | CN104079177B | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
| 发明(设计)人: | 唐样洋;张臣雄;王新入 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
| 主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H02M1/14;H02M1/32 |
| 代理公司: | 广州三环专利代理有限公司44202 | 代理人: | 郝传鑫,熊永强 |
| 地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电压 调整器 电路 | ||
技术领域
本发明涉及电子技术领域,尤其涉及一种电压调整器的电路。
背景技术
电压调整器是一种线性稳压器,通过在线性工作区运行的晶体管或MOSFET管调整输出电压,将输入电压与输出电压差额维持在额定值之内。电压调整器具有损耗低、静态电流小和结构简单等特点,因此广泛应用于各类的电子设备。
在应用过程中,难免地,电压调整器的输出电压可能会因为温度改变、电压漂移或工艺节点集成度增大等原因产生噪声,如尖刺脉冲等,直接给负载带来负担,如影响负载的响应速度和加大负载的能量损耗等。
发明内容
本发明实施例提供了一种电压调整器的电路,可以减少电压调整器的输出电压的噪声,提高电压调整器的稳定性。
本发明实施例第一方面提供了一种电压调整器的电路,包括电压输入端、变压单元、反馈控制单元、泄压单元以及电压输出端,其中:
所述变压单元的第一端与所述电压输入端的正极相连,所述变压单元的第二端与所述电压输出端的正极相连,所述反馈控制单元的输入端与所述电压输出端的正极相连,所述反馈控制单元的输出端与所述变压单元的受控端相连,所述泄压单元的第一端与所述电压输出端的正极相连,所述泄压单元的第二端与所述电压输出端的负极相连,所述泄压单元的第三端与所述反馈控制单元的输出端相连;
所述反馈控制单元用于在所述电压输出端的正极的输出电压高于或低于预设阈值时对应地降低或升高所述变压单元的压降以稳定所述电压输出端的正极的输出电压,所述泄压单元包括开关管,所述反馈控制单元还用于在所述电压输出端的正极的输出电压跳变时导通所述开关管,所述开关管用于在导通时泄放所述电压输出端的正极的杂波。
在第一方面的第一种可能实现方式中,所述泄压单元还包括第一滤波电容和等效电阻,所述开关管是NMOS(Negative channel Metal Oxide Semiconductor,N沟道MOS)管,其中:
所述开关管的漏极与所述电压输出端的正极相连,所述开关管的源极分别与所述第一滤波电容的第一端和所述等效电阻的第一端相连,所述开关管的栅极与所述反馈控制单元的输出端相连,所述电压输出端的负极分别与所述第一滤波电容的第二端和所述等效电阻的第二端相连。
结合第一方面的第一种可能实现方式,在第二种可能实现方式中,当所述电压输出端的正极的输出电压发生跳变时,所述反馈控制单元的输出端的输出电压增大,所述开关管的栅极的电压将大于所述开关管的开启电压,进而所述开关管导通,所述第一滤波电容和所述等效电阻构成的滤波网络将滤除所述电压输出端的正极的杂波。
结合第一方面的可能实现方式,在第三种可能实现方式中,所述电路还包括滤波单元,所述滤波单元的第一端与所述电压输出端的正极相连,所述滤波单元的第二端与所述电压输出端的负极相连;
所述滤波单元用于滤除所述电压输出端的正极的杂波。
结合第一方面以及第一方面的第三种可能实现方式,在第四种可能实现方式中,所述滤波单元包括第二滤波电容,所述第二滤波电容的第一端与所述电压输出端的正极相连,所述第二滤波电容的第二端与所述电压输出端的负极相连。
结合第一方面的可能实现方式,在第五种可能实现方式中,所述反馈控制单元包括第一分压电阻、第二分压电阻以及误差放大器,其中:
所述第一分压电阻的第一端与所述电压输出端的正极相连,所述第一分压电阻的第二端与所述第二分压电阻的第一端相连,所述第二分压电阻的第二端与所述电压输出端的负极相连,所述误差放大器的正输入端与所述第一分压电阻的第二端相连,所述误差放大器的负输入端接入第一参考电压,所述误差放大器的输出端分别与所述变压单元的受控端和所述泄压单元的第三端相连。
结合第一方面以及第一方面的第五种可能实现方式,在第六种可能实现方式中,所述变压单元包括P-Power-MOSFET(Positive channel-Power-Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,P沟道功率MOS场效应晶体)管,其中,所述P-Power-MOSFET管的源极与所述电压输入端的正极相连,所述P-Power-MOSFET管的漏极与所述电压输出端的正极相连,所述P-Power-MOSFET管的栅极与所述误差放大器的输出端相连。
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