[发明专利]用于生产多晶硅的反应器

权利要求书

1.一种用于生产多晶硅的反应器，其包括含有冷却设施的炉筒、底盘、以及位于所述底盘上的电极、原料进气口和排气口，其特征在于，除了最外部靠近炉筒的电极外，每个电极在R±0.1R处具有四个或五个其他的相邻电极和一个或两个相邻进气口和/或排气口，所述两两相邻的电极、进气口和/或排气口中心点组成的点阵按正三角形和/或近似正三角形点阵排列，且所述底盘上设有66对电极，其中R选自150㎜～300㎜；近似正三角形的三个内角为50°～70°之间的某个数值；以底盘为中心，电极形成内圈、次内圈、次外圈和外圈排布，其中内圈6对电极、次内圈18对、次外圈24对、外圈18对电极；除外圈硅棒外，所有电极均采用径向的规律搭接方式；所述底盘上均匀设有均匀布置的6个排气口和19个进气口，或所述底盘上均匀设有均匀布置的3个排气口和22个进气口。

2.根据权利要求1所述的用于生产多晶硅的反应器，其特征在于，除了最外部靠近炉筒的电极外，每个电极在R～1.1R处具有四个或五个其他的相邻电极和一个或两个相邻进气口和/或排气口，所述两两相邻的电极、进气口和/或排气口中心点组成的点阵按正三角形和/或近似正三角形点阵排列，且以所述每个电极为中心，到其他的所述相邻电极和相邻的进气口和/或排气口方向形成的两两夹角为50°～70°，其中R选自210㎜～250㎜。

3.根据权利要求2所述的用于生产多晶硅的反应器，其特征在于，所述的底盘最外部靠近炉筒的电极沿所述底盘的圆周向布置在同一圆周上。

4.根据权利要求3所述的用于生产多晶硅的反应器，其特征在于，所述的底盘最外部靠近炉筒的电极与所述炉筒内壁间的距离为150㎜～300㎜。

5.根据权利要求4所述的用于生产多晶硅的反应器，其特征在于，所述的底盘最外部靠近炉筒的电极沿所述炉筒内壁间的距离为180㎜～230㎜。

6.根据权利要求5所述的用于生产多晶硅的反应器，其特征在于，所述的进气口和排气口均匀地布置在所述底盘上，且每个所述进气口或排气口在R～1.1R具有至少6个相邻的电极。

7.根据权利要求1所述的用于生产多晶硅的反应器，其特征在于，所述的炉筒包括封头和筒身，所述筒身高度为1.8m～3m。