[发明专利]一种聚对二甲苯有机靶的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及镀膜工艺技术领域，尤其是涉及镀膜使用的靶材制作。

背景技术

聚对二甲苯膜具有极其优良的电性能、耐热性、耐候性和化学稳定性，主要用于电子元器件的电绝缘介质、保护性涂料和包封材料等。目前的真空沉积防水膜装置，一般是采用化学气相沉积聚对二甲苯膜。其制作过程如下：首先，将粉末状的聚对二甲苯置于蒸发室中，并加热到150℃，使粉末状的聚对二甲苯汽化；然后，将聚对二甲苯气体传送至裂解室，并加热到650℃以进行裂解；之后，将聚对二甲苯单体传送沉积室，并沉积在基板上。上述工艺使用的是粉体聚对二甲苯粉，利用加热电阻丝加热粉体，然而粉体的聚对二甲苯松散不致密，占用空间较大，因此一次药剂的装载量较少，这导致镀一炉产品就要添加一次粉体，并且需要对加药室由150℃降到室温，加药完后，重新再升到150℃，操作过于频繁，反复升降温，严重影响镀膜周期。

此外，聚对二甲苯粉体易吸水气及空气，不易保存，当高温加热升华时，就会导致聚对二甲苯氧化，裂解不彻底，从而影响镀膜质量，甚至会导致产品防水失效。因而，目前粉体聚对二甲苯很难加工成型制成块状靶材，也没有有关聚对二甲苯有机靶制备方法。

在此背景下，本申请人迎合市场发展的需求及新材料的应用，秉持着研究创新、精益求精之精神，利用其专业眼光和专业知识，研究出一种适宜产业利用的聚对二甲苯有机靶的制备方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种工艺简单，操作简便，聚对二甲苯有机靶的制备方法，可制备出致密无孔的有机靶材。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种聚对二甲苯有机靶的制备方法，该制备方法采用真空气相沉积，通过在真空条件下,将粉体聚对二甲苯粉升华，沉积在低温靶座上，获得聚对二甲苯有机靶，具体步骤如下：

步聚1）、将聚对二甲苯粉称重并加入真空炉中的加热槽里；

步骤2）、将加工好的靶座安装在真空炉中；

步骤3）、将真空炉抽真空到达1Torr，进行真空等离子清洗，将靶座表面的水汽及氧去除，并产生一定粗化效果，增加靶座表面的结合力；

步骤4）、将真空炉抽真空到达0.1Torr，然后通入10sccm的氩气保护，真空炉升温至150摄氏度，将粉体聚对二甲苯粉升华，同时将靶座通过水冷控制在35摄氏度以内，以便升华的聚对二甲苯沉积在靶座上，真空沉积时间40小时，制备出聚对二甲苯有机靶。

上述方案中，所述步骤3）的真空等离子清洗是通入500sccm的氩气，偏压1000V，时间10min。

上述方案中，所述聚对二甲苯粉包括N型、C型、D型及HT型。

上述方案中，所述靶座为不锈钢材质制成，所得的聚对二甲苯有机靶的形状是矩形、圆形或棒形。

本发明制备的聚对二甲苯有机靶，表面致密光滑，密度达到聚对二甲苯的理论密度，含氧量小于0.05%，孔隙率小于0.5%，材料吸附率低，因此在150℃升华时，靶材中的氧及水份的影响极小，用于镀膜生产，生产品质稳定，并且一次更换靶材可以使用1个月左右时间，无需频繁换靶，节约镀膜周期。

本发明再一优点是：工艺简单，科学合理，投资成本低，且操作运行简便，节能、环保，且大大提高了聚对二甲苯电镀镀膜的运行率和可操作性，迎合新型材料生产，符合产业优化升级的设计理念。

具体实施方式：

本发明有关一种聚对二甲苯有机靶的制备方法，该制备方法采用真空气相沉积，通过在真空条件下,将粉体聚对二甲苯粉升华，然后沉积在低温靶座上，获得聚对二甲苯有机靶，用于镀膜生产，克服传统化学气相沉积的生产缺陷，达到节能、环保，节约镀膜周期，提升镀膜效率及质量。

具体的聚对二甲苯有机靶的制备方法步骤如下：

步聚1）、将聚对二甲苯粉称重并加入真空炉中的加热槽里，聚对二甲苯粉包括N型、C型、D型及HT型等，可依据实际需要选择。

步骤2）、将加工好的特定结构的靶座安装在真空炉中，靶座优选不锈钢材质制作，具有良好机械性能。

步骤3）、将真空炉抽真空到达1Torr，进行真空等离子清洗，将靶座表面的水汽及氧去除，并产生一定粗化效果，增加靶座表面与聚对二甲苯的结合力；其中，真空等离子清洗是通入500sccm的氩气，偏压1000V，时间10min，氩气离化便成为等离子状态后，处理靶座表面，从而实现清洁及粗化等目的。