[发明专利]一种有机发光显示面板、装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410284218.4 申请日: 2014-06-23
公开(公告)号: CN104091818B 公开(公告)日: 2017-09-29
发明(设计)人: 熊志勇;曾章和;钱栋 申请(专利权)人: 上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/56
代理公司: 北京品源专利代理有限公司11332 代理人: 孟金喆
地址: 201201 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 有机 发光 显示 面板 装置 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示领域,尤其涉及一种有机发光显示面板、装置,以及其制造方法。

背景技术

有机发光显示(OLED)利用电激发的有机荧光化合物发光,不需要背光源,体积小,携带轻便。除此之外,还具有宽视角、响应速度快等优点。

有机发光装置具有阴极和阳极,二者中间有由有机化合物组成的有机膜。当向阴极、阳极上施加电压时,施加正电压的电极中,空穴通过空穴传输层(HTL)迁移到有机发光层,施加负电压的电极中,电子通过电子传输层(ETL)迁移到有机发光层,空穴和电子在有机发光层中发生复合产生激子,激子被激发后发出光,为OLED显示提供光源。

发明内容

本发明旨在提供一种有机发光显示面板,包括:基板;薄膜晶体管,设置于所述基板上,所述薄膜晶体管包含源极和漏极;输电线,设置于所述基板上方;辅助电极,与所述输电线电连接;信号输入端,与所述输电线电连接,提供输入信号;所述辅助电极与所述输电线组成的电阻,在远离所述信号输入端侧的第一长度的总电阻小于靠近所述信号输入端侧的第一长度的总电阻。

本发明还提供了一种有机发光显示装置,包含上述有机发光显示面板。

本发明还提供了一种有机发光显示面板的制造方法,包含:提供一基板;在所述基板上形成包含源极、漏极的薄膜晶体管;形成输电线;在薄膜晶体管上方形成第一电极,第一电极与源极或漏极电连接;形成电阻变化的辅助电极,辅助电极与输电线电连接;在第一电极上方形成有机层;在有机层上方形成第二电极。

本发明具有如下一种或多种的技术效果:

1、减缓输电线上的电压降。

2、使得压降明显的区域获得更大的补偿,使输电线压降值更小。

3、在补偿压降的同时,不影响面板走线,不影响面板开口率。

附图说明

图1为现有技术中OLED装置的像素平面图;

图2为现有技术中OLED装置的像素截面图;

图3为本发明一实施例中OLED装置的像素截面图;

图4为本发明一实施例中OLED装置的平面图;

图5为本发明一实施例中OLED装置的平面图;

图6为本发明一实施例中OLED装置的平面图;

图7为本发明一实施例中OLED装置的像素截面图;

图8a-图8c为本发明一实施例中电阻值模拟数据图;

图9为本发明的有机发光显示装置示意图。

具体实施方式

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的几种实施例,而非全部实施方式,基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

请参照图1,为现有技术中OLED装置的俯视图,OLED装置中包含多个像素,栅极线101与数据线102绝缘交叉,围成一个像素单元。输电线108,平行于数据线102设置。每个像素单元中包含至少两个薄膜晶体管(TFT),其中,图1中110为开关TFT,120为驱动TFT。开关TFT110接收栅极线101的信号,控制开关,将数据线102上传来的信号输入到驱动TFT,驱动TFT进一步地控制输电线108输入到OLED器件中的电流大小。一般来讲,OLED装置中还可以进一步地包含一个或多个存储电容(图中未示出),用于存储开关TFT110传输的数据信号。

请参照图2,为现有技术中OLED装置的截面图。基板100上方设置有缓冲层106,缓冲层106上方设置有有源层103,有源层103上方铺设一层栅极绝缘层107,栅极绝缘层107上方铺设有栅极101,栅极101两侧绝缘地设置有源极104、漏极105,且源极104和漏极105经过贯穿栅极绝缘层107的通孔,与有源层103的一部分电连接。栅极绝缘层107上方,还包含输电线108。在TFT上方,设置有钝化膜109,平面膜111,平面膜111上方设置有第一电极112,第一电极112与TFT的漏极105电连接,第一电极112上方设置有像素定义层114,像素定义层114具有一个开口,开口处设置有有机层113,有机层113一般可以包含空穴传输层、空穴注入层、发光层、电子传输层、电子注入层。有机层113可以设置在像素定义层114的开口处,也可以在设置在整面上。

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