[发明专利]感光像素阵列、环境光传感器和距离传感器在审
申请号: | 201410283740.0 | 申请日: | 2014-06-23 |
公开(公告)号: | CN105206631A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 林崴平 | 申请(专利权)人: | 上海箩箕技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴圳添;骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东新区张江高*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感光 像素 阵列 环境 传感器 距离 | ||
1.一种感光像素阵列,包括:
N个像素单元,所述N个像素单元的原始感光面面积相同,其中,N为大于或者等于二的自然数;
其特征在于,
所述N个像素单元中,第n个像素单元的表露感光面面积等于其原始感光面面积的k(n-1)倍,其中,k为0.1~0.9,n为一至N的任意自然数。
2.如权利要求1所述的感光像素阵列,其特征在于,k为0.5,N等于四。
3.如权利要求2所述的感光像素阵列,其特征在于,所述四个像素单元成两行两列的矩阵排布。
4.如权利要求2所述的感光像素阵列,其特征在于,所述四个像素单元中,第二个像素单元的原始感光面上方具有第一阻挡层,所述第一阻挡层暴露出所述第二个像素单元的表露感光面;第三个像素单元的原始感光面上方具有第二阻挡层,所述第二阻挡层暴露出所述第三个像素单元的表露感光面;第四个像素单元的原始感光面上方具有第三阻挡层,所述第三阻挡层暴露出所述第四个像素单元的表露感光面。
5.如权利要求4所述的感光像素阵列,其特征在于,所述第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层的材料包括钼、铝或者铜。
6.如权利要求4所述的感光像素阵列,其特征在于,所述第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层的厚度为
7.如权利要求4所述的感光像素阵列,其特征在于,所述第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层的俯视图形为矩形环。
8.如权利要求4所述的感光像素阵列,其特征在于,所述感光像素阵列还包括覆盖所述N个像素单元的层间介质层,所述第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层与位于所述层间介质层上。
9.一种环境光传感器,所述环境光传感器采用感光像素阵列,所述感光像素阵列包括:
N个像素单元,所述N个像素单元的原始感光面面积相同,其中,N为大于或者等于2的自然数;
其特征在于,
所述N个像素单元中,第n个像素单元的表露感光面面积等于其原始感光面面积的k(n-1)倍,其中,k为0.1~0.9,n为一至N的任意自然数。
10.一种距离传感器,所述距离传感器采用感光像素阵列,所述感光像素阵列
包括:
N个像素单元,所述N个像素单元的原始感光面面积相同,其中,N为大于或者等于2的自然数;
其特征在于,
所述N个像素单元中,第n个像素单元的表露感光面面积等于其原始感光面面积的k(n-1)倍,其中,k为0.1~0.9,n为一至N的任意自然数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的