[发明专利]具有存储层材料的磁性元件

权利要求书

1.一种磁性隧道结MTJ元件，其包含：

参考铁磁性层；

存储铁磁性层，其包含经由非磁性子层耦合到铁磁性辅助子层的钴-铁-硼(CoFeB)铁磁性子层，其中所述铁磁性辅助子层包含耦合到镍-铁(NiFe)子层的钴-铁(CoFe)子层，其中所述钴-铁-硼(CoFeB)铁磁性子层被配置为以铁磁性方式耦合到所述铁磁性辅助子层，且所述镍-铁(NiFe)子层被配置为减少磁致伸缩诱导的切换电流及切换场变化；以及

绝缘层，其安置于所述参考铁磁性层与所述存储铁磁性层之间。

2.根据权利要求1所述的MTJ元件，其中所述铁磁性辅助子层的所述钴-铁(CoFe)子层介于所述铁磁性辅助子层的所述镍-铁(NiFe)子层与所述非磁性子层之间。

3.根据权利要求1所述的MTJ元件，其中所述非磁性子层为钌(Ru)且具有在至的范围内的厚度。

4.一种磁性隧道结MTJ元件，其包含：

参考铁磁性层；

存储铁磁性层，其包含经由非磁性子层耦合到铁磁性辅助子层的钴-铁-硼(CoFeB)铁磁性子层，其中所述铁磁性辅助子层包含耦合到镍-铁(NiFe)子层的钴-铁-硼(CoFeB)子层，其中所述钴-铁-硼(CoFeB)铁磁性子层被配置为以铁磁性方式耦合到所述铁磁性辅助子层，且所述镍-铁(NiFe)子层被配置为减少磁致伸缩诱导的切换电流及切换场变化；以及

绝缘层，其安置于所述参考铁磁性层与所述存储铁磁性层之间。

5.根据权利要求4所述的MTJ元件，其中所述铁磁性辅助子层的钴-铁-硼(CoFeB)子层介于所述铁磁性辅助子层的所述镍-铁(NiFe)子层与所述非磁性子层之间。

6.根据权利要求4所述的MTJ元件，其中所述非磁性子层为钌(Ru)且具有在至的范围内的厚度。

7.一种形成磁性隧道结(MTJ)装置的方法，其包含：

形成参考铁磁性层；

形成存储铁磁性层，所述存储铁磁性层包含经由非磁性子层耦合到铁磁性辅助子层的钴-铁-硼(CoFeB)铁磁性子层，其中所述铁磁性辅助子层包含耦合到镍-铁(NiFe)子层的钴-铁(CoFe)子层，其中所述钴-铁-硼(CoFeB)铁磁性子层以铁磁性方式耦合到所述铁磁性辅助子层，且所述镍-铁(NiFe)子层被配置为减少磁致伸缩诱导的切换电流及切换场变化；以及

形成绝缘层，所述绝缘层安置于所述参考铁磁性层与所述存储铁磁性层之间。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述铁磁性辅助子层的所述钴-铁(CoFe)子层介于所述铁磁性辅助子层的所述镍-铁(NiFe)子层与所述非磁性子层之间。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述非磁性子层为钌(Ru)且具有在至的范围内的厚度。

10.一种形成磁性隧道结(MTJ)装置的方法，其包含：

形成参考铁磁性层；

形成存储铁磁性层，所述存储铁磁性层包含经由非磁性子层耦合到铁磁性辅助子层的钴-铁-硼(CoFeB)铁磁性子层，其中所述铁磁性辅助子层包含耦合到镍-铁(NiFe)子层的钴-铁-硼(CoFeB)子层，其中所述钴-铁-硼(CoFeB)铁磁性子层以铁磁性方式耦合到所述铁磁性辅助子层，且所述镍-铁(NiFe)子层被配置为减少磁致伸缩诱导的切换电流及切换场变化；以及

形成绝缘层，所述绝缘层安置于所述参考铁磁性层与所述存储铁磁性层之间。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述铁磁性辅助子层的所述钴-铁-硼(CoFeB)子层介于所述铁磁性辅助子层的所述镍-铁(NiFe)子层与所述非磁性子层之间。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述磁性子层为钌(Ru)且具有在至的范围内的厚度。