[发明专利]一种耐压型过流自恢复保护器及其生产工艺

权利要求书

1.一种耐压型过流自恢复保护器，所述的过流自恢复保护器由设置在两层金属膜之间的芯材构成，所述的金属膜上设有引出电极，且其外层包封绝缘密封材料，其特征在于：所述的芯材由以下组分构成（重量比），28-33%高密度聚乙烯，18-23%导电材料，0.2-0.5%抗氧剂1010即四[β-（3，5-二叔丁基-4-羟基苯基）丙酸]季戊四醇酯，分子式C73H108O12，44-48%氢氧化镁构成的阻燃剂组成。

2.根据权利要求1所述的一种耐压型过流自恢复保护器，其特征在于：所述的芯材中还添加有0.1-7%的其他助剂，所述的其他助剂包括氧化锌和硬脂酸钙。

3.根据权利要求2所述的一种耐压型过流自恢复保护器，其特征在于：所述的其他助剂其最佳添加比例为4.2%。

4.根据权利要求1-3任意一个所述的一种耐压型过流自恢复保护器，其特征在于：所述的芯材最佳组分构成（重量比），30%高密度聚乙烯，19.5%导电材料，0.3%抗氧剂，46%阻燃剂组成。

5.根据权利要求1所述的一种耐压型过流自恢复保护器，其特征在于：导电材料为炭黑金属镍粉或导电陶瓷粉或碳纳米管或导电炭黑。

6.根据权利要求1所述的一种耐压型过流自恢复保护器的生产工艺，其特征在于：所述的生产工艺四个步骤：

A、芯材材料制作；

将复合材料各组分高密度聚乙烯、导电材料、抗氧剂、阻燃剂，放置在烘箱或真空烘箱中进行水分去除预处理，温度控制在80~180℃，真空预处理时间为40~46h；然后将通过预处理的上述原料经过称重配比在密炼机油温160~180℃温度、延迟加压30-60min下于密炼机中混炼均匀，密炼时间0.8~1.5h并密炼料成团后，切成小块冷却到常温后、经破碎机破碎成≤5mm左右颗粒，然后用开炼机或挤出机制成两面未覆铜膜芯片材料；

B、芯材双面覆铜膜；

将芯材夹在两层经过镀炭处理过的铜箔之间，放于真空机的压模中，在真空机给予5~15MPa压片，压制成型工艺:预热5-10min，硫化热压5-10min，热压压力5~15MPa，热压温度170~190℃，片材厚度2~4mm，真空度-0.05~0.08MPa；

C、覆铜膜长方形芯片材料加工及处理；

将覆膜后的芯材接制成两面覆铜膜的长方形芯片，装入塑料袋或保鲜膜中，用γ射线（Co60）或采用电子加速器辐照交联；

D、芯材封装及处理；

经过辐照后的芯片，根据客户阻值需要经过冲床冲成需要的半成品尺寸形状、在覆有铜膜的两面分别焊上引出电极，而后在烘箱中预热处理80~170温度/0.1~0.2h时间等工艺参数，经过270~285度无铅焊锡炉中将半成品焊好;焊接好的半成品然后经包封环氧树脂或涂上绝缘漆，并进行包封、热固化工序制成成品。

7.根据权利要求6所述的一种耐压型过流自恢复保护器的生产工艺，其特征在于：所述的高密度聚乙烯、导电材料、抗氧剂、阻燃剂预处理时，真空箱的工艺参数为温度范围最佳控制在130-180度，真空度为-0.05~0.08MPa。

8.根据权利要求6所述的一种耐压型过流自恢复保护器的生产工艺，其特征在于：所述的芯材材料制作在经过预处理、密炼、冷却和破碎后，可以直接使用挤出覆铜膜一体机直接制成两面覆铜膜的芯片材料，也就是将B步骤工序由挤出覆铜膜一体机直接完成。

9.根据权利要求6所述的一种耐压型过流自恢复保护器的生产工艺，其特征在于：用γ射线（Co60）或采用电子加速器辐照交联，辐照工艺参数，辐照总剂量50~150KGY、能量2~10Mev、每次辐照5~20KGY，辐照3~5次。

10.根据权利要求6所述的一种耐压型过流自恢复保护器的生产工艺，其特征在于：所述的包封工序的工艺参数为：预热时间：10—180s；硫化时间：5－15s；浸粉时间：5－15s；震动时间：0－0.8s；浸粉时间：1－6s；流平时间：0.6~2min；包封次数：1—4次；设定温度：135℃－180℃（允许有二块温度表设置低于135℃）；设定压力：0.4－0.8Mpa；高压：0.4－0.8Mpa；低压：0.1Mpa；震动电压：120－150V；包封脚高度：≤2mm；进行包封、固化工艺要：温度：80℃±2℃保温：30min后，即时升温至150℃±2℃保温：30min关闭烘箱，自然降温到60℃以下,方可出烘箱。