[发明专利]一种半导体器件以及制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410279852.9 | 申请日： | 2014-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN105197876B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 伏广才;李华乐 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 以及 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，包括：
提供基底，在所述基底上形成有底部电极和第一介电层；
在所述第一介电层上依次形成牺牲材料层、第二介电层和顶部电极；
图案化所述顶部电极，以形成开口，露出所述第二介电层；
以所述顶部电极为掩膜蚀刻所述第二介电层，以露出所述牺牲材料层；
以所述顶部电极和所述第二介电层为掩膜蚀刻所述牺牲材料层，以将所述开口转移至所述牺牲材料层中，露出所述第一介电层；
其中，所述顶部电极的蚀刻速度和所述牺牲材料层的蚀刻速度相近。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，图案化所述顶部电极的气氛包括HBr气体，以形成所述开口。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，图案化所述顶部电极的气氛包括Cl2、O2以及HBr。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述Cl2、O2和HBr的流量分别为80-150sccm、1-10sccm和80-150sccm；
图案化所述顶部电极的压力为1-20mtorr，源功率为400-600w，偏执功率为50-70w。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，蚀刻所述牺牲材料层的气氛包括SF6、C4F8和O2。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述SF6、C4F8和O2的流量分别为60-100sccm、700-1100sccm和200-400sccm；
蚀刻所述牺牲材料层的压力为60-100mtorr，源功率为1000-1500w，偏执功率为60-100w。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，蚀刻所述第二介电层的气氛包括CF4和CHF3。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，图案化所述顶部电极的方法包括：
在所述顶部电极的上方形成具有所述开口图案的掩膜层；
以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述顶部电极表面氧化形成的氧化物层；
以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述顶部电极，以形成所述开口。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，蚀刻所述氧化物层的压力为1-20mtorr，源功率为400-600w，偏执功率为30-50w，蚀刻气氛为50-200sccmCF4。
10.一种基于权利要求1至9之一所述的方法制备得到的半导体器件。
11.一种电子装置，包括权利要求10所述的半导体器件。
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